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IBM搞定多位封装 相变存储再近一步

2011-07-01 00:00来源:存储时代
导读:PCM试验芯片,采用90nm CMOS工艺制造,不但读写速度高于普通NAND闪存,写入循环寿命也高达惊人的1000多万次。

IBM的研究人员们近日再次得出丰硕成果,搞定多位封装,攻克了(PCM)的一大难题:。

IBM搞定多位封装 相变存储再近一步 

多位封装技术已经开发了很多年,但是一直被局限在每单元一比特数据上,也就是1 bit-per-cell(1bpc),这样自然难以大幅提升容量、降低成本。

IBM最近终于完成了一颗多位PCM试验芯片,采用90nm CMOS工艺制造,不但读写速度高于普通NAND闪存,写入循环寿命也高达惊人的1000多万次。相比之下,目前最先进的25nm MLC NAND闪存只能坚持大约3000次就会挂掉。

另外,这种多位PCM芯片的写入延迟最差也有10毫秒左右,比当前最先进的闪存快100倍。

不过IBM并未透露他们在一个单元内封装了多少个比特位,而且要看到这种新技术的量产,至少还得等四五年。

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