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中国存储器还要跨越三座大山才能走向成功

半导体行业观察 2017-01-05 11:40  我要投稿
导读:对于中国来说,如何迅速获得核心技术,就成为中国存储产业关注的首要问题。

过去几年,中国正在疯狂存储产业,尤其是经历了2016年的兼并整合以后,中国的存储产业初具规模。但就目前看来,中国存储能否大获成功,就得看在来年,包括Intel、三星、美光等知名的存储产品供应商是否愿意和中国签署相关技术授权协议。

对中国利好的消息是,现在行业内的存储玩家都不想看到三星持续一家独大的现状,中国这波掀起对存储格局的改变,或许会吸引其他相对弱势的厂商给中国提供支持。

IC Insights的分析师指出,随着PC、数据中心服务器、平板、智能手机和其他设备的兴起,中国对DRAM和Flash的渴求达到了一个前所未有的阶段。所以他们在“十三五规划”里把发展存储放在一个重要的位置。

中国存储器还要跨越三座大山才能走向成功

面临的难题

但坦白说,中国现在的技术储备,是撑不起中国现在的存储野心的。其实随着后续IoT和AI应用的大量兴起,存储需求是会大量攀升的,对于中国来说,如何迅速获得核心技术,就成为中国存储产业关注的首要问题。

据EETIMES观察,中国存储还是需要关注以下问题:

(1)中国能否自主设计和生产存储芯片?

(2)如果中国不能自主设计,能否买到有相关技术的公司?

(3)如果美国CFIUS拒绝中国对其本土企业发起的并购,中国还可以从哪里获得相关技术?

另外还有一个重要的问题,那就是足够是否能够笼络到一批经验足够丰富的存储相关工程师,以撑起其发展的野心。

但换个角度看,存储供应商同样面临困扰(包括美国本土的)。他们需要思考的是一旦中国不想跟他们玩,他们的未来能怎么办?

这不仅仅是中国市场的问题,还有一点就是随着技术的发展,研发成本支出也越来越大,对于一些稍欠缺点竞争力的厂商,他们还需要考虑怎样才能活下去。不差钱的中国恰好能够解决这两个问题。

美国硅谷一个不具名的半导体高层表示,如果美光和东芝不和中国达成某种合作,他们应该是最先受到冲击的。

另一个问题是,假设中国真的如期推出了其存储产品,那么在未来几年,全球市场势必会面临NAND和Flash产能过程的问题。

IC Insights最近的指出,2016年全球存储的资金支出大增,但根据过去的观察,这往往会带来产能过剩和单价下探的反效果。

这也是中国搅局全球市场,带来的另一个重要影响

纵观全球的存储市场,尤其是在热门的3D NAND FLASH市场,有三星、SK海力士、美光、Intel、东芝/闪迪、XMC/长江存储和众多新进的中国玩家。IC Insights也认为未来3D NAND Flash的市场需求是非常高的,并将会持续增长的。

中国存储器还要跨越三座大山才能走向成功


而在这些玩家之中,三星在其中国西安的工作制造相关的3D NAND Flash产品,SK海力士则在无锡生产DRAM,而Intel也在今年年初,把其大连工厂转成3D NAND Flash生产基地。

需要提一下的是,中国的晶圆代工厂SMIC从很多年前开始,就逐步停止DRAM业务。

从现在看来,中国本土的存储产业虽然有点弱小,但是中国大张旗鼓的建设,大基金和政府的支持,这绝对是存储领域不能忽视的新兴力量。

从IC Insights的报告我们得知,中国现有的存储势力包括:

(1)长江存储,这是清华紫光在今年7月收购XMC之后成立的新公司。它的300mm 3D NANND FLASH 晶圆厂已经动工,产线预计2017年底或者2018年初投入使用。

(2)兆易创新和中芯国际前CEO王宁国打造的合肥长鑫,专攻DRAM,预计2017年7月动工。

(3)福建晋华项目,强攻DRAM,由当地政府和联电携手打造。预计2018年第三季度量产。

下面我们来深入了解一下:

中国存储的重要玩家——长江存储

长江存储可以说是清华紫光求购两个美国公司不成的选择。

在2015年,清华紫光向美光科技发起了一个230亿美元的收购邀约,之后又向西部数据一个38亿美元的投资协议,但这两个发起统统都被美国政府方面否定。于是紫光集团将目光瞄向了本土的XMC,在今年7月收购后者之后,成立了长江存储。

这次的并购释放出了一个明显的信号,那就是无论多困难,中国也不会放弃其发展存储的野心。

XMC本来是由杨士宁(后辞去武汉新芯CEO职位)运营的,之前一直为Spansion(现已被Cypress收购)生产nor flash。在2015年初,XMC宣布和Spansion携手开发3D NAND Flash。另外,XMC同样也为兆易创新生产Nor Flash。

新的长江存储计划投入240亿美元,分三个阶段建设一个300mm Fab,现在第一阶段的建设已经开工,预计总体建设工程会在2019年完成。相关人士指出,长江存储将会在2017年底量产32层的3D NAND FLASH,产能达到30万片每月。而技术则可能来自于Spansion。

但对于这种说法,我是有些疑问的。

在和很多日本从业者交流过之后,他们给我的反馈就是,他们对于XMC所说的3D NAND Flash相关技术存有疑问的。他们认为,虽然官方给出了计划表,但实际上NAND FLASH什么时候能够真正量产,都是一个未知之数。

他们更倾向于相信XMC正在加紧开发3D NAND FLASH技术。因为Spansion的3D NAND FLASH从来没有量产过,很多业者认为,他们的技术还不够成熟。

就算到XMC真的能拿出32层的3D NAND FLASH技术,并按时量产。但届时三星和其他玩家甚至可能拿出了100层以上的3D NAND Flash,或者将存储方向转向了Intel正在推的3D Xpoint。虽然是有差距,但是对中国来说,也是一个大突破。

而根据行业专家观点,长江存储未来在存储上的投入至少达千亿规模。

怎么获取技术?

如果真如我们所说,XMC的3D NAND Flash技术不够可靠,那么对于长江存储来说,可能的选择是什么?

假设中国又不能从美国人手上买到一个存储芯片公司(如美光),中国将怎么获取到存储的核心技术?JV是一个好选择么?

换种方式,假设中国真不能买到美光,又能否获得美光的相关Flash技术授权?市场是也有传言中国将会和美光签订相关的合作协议。

IC Insight的分析师认为,由于美国、日本和韩国等的层层阻挠,中国是不可能轻易能收购到这些国家的企业,甚至相关合作也会是困难重重,所以中国获得先进的NVM技术和先进DRAM技术的过程,一定是困难重重的。

他还指出,根据存储的发展规律,现在似乎也进入了存储产业的周期性转移阶段,中国能否效仿当年的韩国从日本手上抢来存储产业,将同样的故事在韩国的身上重演,我们保留观察。但我们眼见的就是中国台湾在过去二十年的存储尝试是失败的。

从现状看来,授权应该是中国获得相关技术的最可行方式了。专利授权是最好的一个途径。而根据中国过往的产业发展经验,这也是有成功经验可参考的。

例如美光曾经将一些专利卖给了技术研究机构和专利授权公司Round Rock Research LLC,他们拥有丰富的产品线,而产品布局也贯穿整个亚洲、美洲和欧洲。这是中国可以获取专利的一个方向。

另外,美光还和很多企业有交叉授权,中间有些公司就能提供相关的授权服务。这些公司当中就包括了Quatela Lynch McCurdy。

我们认为XMC迟早会获得相关技术授权,区别只是时间迟早、价格高低以及合作条件的问题。

至于具体会获得哪些技术,分析人士指出,美光的3D NAND FLASH是应该没问题的,但是在Intel和美光共同开发的3D Xpoint上。相关人士指出,现阶段Intel是不会轻易点头的。

但从某个角度看,这也并非是不可能。因为中国和这些跨国巨头的合作非常紧密。

大家应该还记得在2014年,Intel和紫光集团的一个深度的合作。所以一切都是有可能的。

中国DRAM的前景又如何?

据作者了解到,按照早期规划,长江存储原本是想既做Flash,又做DRAM的。但经过了几个月的运营,形势逐渐明朗,长江存储还是只专注于做NAND Flash。

但是DRAM对中国来说,同样重要,所以中国也不会忽视。另外跟FLASH相比,DRAM的供应商更少,且专利什么的更集中,竞争对手少,但是强大。

联电和福建政府打造的晋华项目,就是瞄准DRAM而去的。双方的合作在今年五月份宣布的,这个合作是中国半导体建设的一个重要组成部分。

根据合作协议,联电会在台湾成立一个百人规模的研发团队,而福建晋华则提供研发所需的资金。根据分析人士透露,联电本身对于进入DRAM是没有什么兴趣,但他们看好和中国合作伙伴共同推进先进技术后带来的收益。

晋华项目将投资56.5亿美元在晋江建立一个300mm晶圆厂,投入先进存储技术的研发。计2018年9月试产,并达到月产6万片的规模。据透露,初期将会导入32nm制程。

中国存储器还要跨越三座大山才能走向成功

韩国等着,中国来啦

业界传言,三星、SK海力士和美光之间有一个私下协议,就是联手阻碍中国存储的崛起。

但是另外也有人指出,除三星外的其他供应商对于三星长达十数年的存储领先感到厌烦,他们希望联合中国把三星拉下马。

很多硅谷芯片专家也指出,如果在不久的将来,某个或几个厂商和中国合作,目的就是为了打破三星的垄断,这也不会让人惊讶。

韩国人,中国来了,做好准备吧!

但对于中国存储来说,就算拿到了技术,未来还有很多路要走,因为他们的目标是爬上第一阵型和领先厂商并驾齐驱,甚至寻机超越。

而这则是一个漫长、艰苦且耗资巨大的过程。

关键词

存储器