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台积电3nm制程芯片最快2022年底到2023年初投产

2018-08-22 22:40来源:中国存储网
导读:2020年开始建厂,2021年完成设备安装,预计最快2022年底到2023年初投产,3nm厂完成后预计雇用员工达四千人。

智能手机、AI、物联网...日益发展和成熟,对芯片的性能要求越来越高,存储厂商们也纷纷投入巨资进行下一代芯片技术的研究。

台积电3nm制程芯片最快2022年底到2023年初投产

日期,中国存储网消息,台积电公布了3nm制程工艺计划,目前台南园区的3nm晶圆工厂已经通过了环评初审,台积电计划投资6000亿新台币(约为194亿美元),2020年开始建厂,2021年完成设备安装,预计最快2022年底到2023年初投产,3nm厂完成后预计雇用员工达四千人。

台积电的7nm工艺今年已经量产了,首发的7nm芯片是嘉楠耘智的ASIC矿机芯片,采用该工艺的芯片还有苹果的A12、海思麒麟980以及AMD、NVIDIA的7nm CPU/GPU芯片。与16nm FF工艺相比,台积电的7nm工艺(代号N7)将提升35%的性能,降低65%的能耗,同时晶体管密度是之前的三倍。2019年初则会推出EUV工艺的7nm+(代号N7+)工艺,晶体管密度再提升20%,功耗降低10%,不过性能没有变化。

在3nm节点上,台积电也公布了相关计划,去年表态称投入了数百名工程师资源进行早期研发,而晶圆工厂也将落户南科台南园区,占地28公顷,位置紧邻台积电的5nm工厂。目前台湾环保部门已经通过了“台南科学园区二期基地开发暨原一期基地变更计画环差案”的初审,预计在2020年交地给台积电建设工厂。

南科管理局长林威呈表示,由于园区产业的发展需求,为了确保世界先进制程的领先优势,提出了“台南科学园区二期基地开发暨原一期基地变更计划环差案”,一方面检讨园区土地使用分区计划,另一方面也是为了引进先进制程的需求,提出园区用水量、用电量、污水放流量、土方等的变更。

南科管理局提出报告,为了满足台积电3nm建厂需要,南科台南基地,每日用水量将由25万吨增至32.5万吨,用电量则由222万瓦增至299.5万瓦;推估此次变更后,温室气体排放量一年增加427万吨。台积电一开始就承诺,在市场供给机制的完善下,3nm厂新增用电量将随着量产时程,逐年取得20%用电度数的再生能源,预估每年最高可减少约85.41万吨的二氧化碳当量。

3nm技术可以说已经接近半导体工艺的物理极限,而其目前也处于实验室阶段,台积电资深处长庄子寿坦言:“3nm制程技术难度高,是很大挑战。”

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