东芝存储公司计划从2021年到今年将其首次公开募股推进至今：据说将于今年下半年推出。

FRAM铁电存储器被认为是未来存储器发展方向之一，采用铁电质膜用作电容器来存储数据。FRAM具有ROM（只读存储器）和RAM（随机存取器）的特点，在高速读写入、高读写耐久性、低功耗和防窜改方面具有优势。

灾备演练就是通过假设某种灾难场景，主动进行应急演练，验证灾备系统的灾难恢复预案是否合理，是否能够达到项目初期期望的灾备效果的过程。

计算机中的全部信息，包括输入的原始数据、计算机程序、中间运行结果和最终运行结果都保存在存储器中。

分布式存储简单的来说，就是将数据分散存储到多个数据存储存储服务器上。分布式存储就是利用分布式技术将标准X86服务器的本地HDD、SSD等存储介质组织成一

对硬盘中的P表以及G表等进行介绍：Ｐ表和Ｇ表用于记录硬盘的缺陷扇区的情况，使硬盘在工作时不会在缺陷扇区中读写数据，防止数据损坏。

经常会听到刷固件，升级固件等专业名词，那什么是硬盘的固件呢？不太恰当但是毕竟好理解的就是：固件就是硬盘的操作系统。固件firmware是安装在硬盘的一个小记忆芯片上的，用于引导硬盘工作。

1ZB等于1024EB，1YB等于多少GB，是可以通过换算得到的，1YB等于1024ZB，1ZB等于1024EB，1EB等于1024PB，1PB等于1024TB，1TB等于1024GB，1GB等于1024MB，1MB等于1024KB，1KB等于1024B，1B等于8bit

NVMe SSD指的是NVMe标准的SSD固态硬盘，NVMe其实与AHCI一样都是逻辑设备接口标准，而不是接口！NVMe标准是面向PCI-E SSD的。

SSD固态硬盘是由控制单元和固态存储单元（DRAM或FLASH芯片）组成的存储设备，目前支持SATA、FC、SAS接口，可以替代普通的机械硬盘。

本文以Micron公司的MT29F2G08为例介绍NAND Flash原理和使用。NAND的内部存储阵列是以页为基本单位进行存取的。

Nand Flash 控制器通过将Nand Flash 芯片的内设命令写到其特殊功能寄存器中，从而实现对Nand flash 芯片读、检验和编程控制的。特殊功能寄存器有：NFCONF 、NFCMD 、NFADDR 、NFDATA 、NFSTAT 、NFECC 。

Nand Flash按照内部存储数据单元的电压的不同层次，也就是单个内存单元中，是存储1位数据，还是多位数据，可以分为SLC和MLC

识别flash是SLC还是MLC？第3个字节，3rd byte，所表示的信息，其中就有SLC/MLC的识别信息。

SRAM的工作原理图解，SRAM中的每一bit存储在由4个场效应管（M1, M2, M3, M4）构成两个交叉耦合的反相器中。

EEPROM和FLASH 的最主要的区别就是：1.EEPROM 可以按“位”擦写，而FLASH 只能一大片一大片的擦。

EPROM和EEPROM是不同的，EPRO为“可擦除可编程只读存储器”，EEPROM即电可擦除可编程只读存储器，其内容在掉电的时候也不会丢失。

各种存储器比较（PCM,STTRAM,SRAM,DRAM,Flash NAND,HDD），看出忆阻器在集成密度，数据的读写时间有着比较明显的优势