Nand Flash设计中，有个命令叫做Read ID，读取ID，意思是读取芯片的ID，就像大家的身份证一样，这里读取的ID中，是读取好几个字节，一般最少是4个，新的芯片，支持5个甚至更多，从这些字节中，可以解析出很多相关的信息，比如此Nand Flash内部是几个芯片（chip）所组成的，每个chip包含了几片（Plane），每一片中的页大小，块大小，等等。在这些信息中，其中有一个，就是识别此flash是SLC还是MLC。下面这个就是最常见的Nand Flash的datasheet中所规定的，第3个字节，3rd byte，所表示的信息，其中就有SLC/MLC的识别信息：
|
Description |
I/O7 |
I/O6 |
I/O5 I/O4 |
I/O3 I/O2 |
I/O1 I/O0 |
|
Internal Chip Number |
1 2 4 8 |
|
|
|
|
0 0 0 1 1 0 1 1 |
|
Cell Type |
2 Level Cell 4 Level Cell 8 Level Cell 16 Level Cell |
|
|
|
0 0 0 1 1 0 1 1 |
|
|
Number of Simultaneously Programmed Pages |
1 2 4 8 |
|
|
0 0 0 1 1 0 1 1 |
|
|
|
Interleave Program Between multiple chips |
Not Support Support |
|
0 1 |
|
|
|
|
Cache Program |
Not Support Support |
0 1 |
|
|
|
|
表1.Nand Flash 第3个ID的含义
相关阅读
EPROM和EEPROM是不同的，EPRO为“可擦除可编程只读存储器”，EEPROM即电可擦除可编程只读存储器，其内容在掉电的时候也不会丢失。
各种存储器比较（PCM,STTRAM,SRAM,DRAM,Flash NAND,HDD），看出忆阻器在集成密度，数据的读写时间有着比较明显的优势
更好的了解RAM,SRAM,SDRAM工作原理。介绍一下SIMM以及与之相对应的DIMM。
科技壕
