Nand Flash设计中，有个命令叫做Read ID，读取ID，意思是读取芯片的ID，就像大家的身份证一样，这里读取的ID中，是读取好几个字节，一般最少是4个，新的芯片，支持5个甚至更多，从这些字节中，可以解析出很多相关的信息，比如此Nand Flash内部是几个芯片（chip）所组成的，每个chip包含了几片（Plane），每一片中的页大小，块大小，等等。在这些信息中，其中有一个，就是识别此flash是SLC还是MLC。下面这个就是最常见的Nand Flash的datasheet中所规定的，第3个字节，3rd byte，所表示的信息，其中就有SLC/MLC的识别信息：
|
Description |
I/O7 |
I/O6 |
I/O5 I/O4 |
I/O3 I/O2 |
I/O1 I/O0 |
|
Internal Chip Number |
1 2 4 8 |
|
|
|
|
0 0 0 1 1 0 1 1 |
|
Cell Type |
2 Level Cell 4 Level Cell 8 Level Cell 16 Level Cell |
|
|
|
0 0 0 1 1 0 1 1 |
|
|
Number of Simultaneously Programmed Pages |
1 2 4 8 |
|
|
0 0 0 1 1 0 1 1 |
|
|
|
Interleave Program Between multiple chips |
Not Support Support |
|
0 1 |
|
|
|
|
Cache Program |
Not Support Support |
0 1 |
|
|
|
|
表1.Nand Flash 第3个ID的含义
相关阅读
DRAM是Dynamic random access memory 的缩写，称为动态随机存取存储器。与之前介绍的SRAM静态随机存储器相比，DRAM功耗更小。详细请参照SRAM存储器原理介绍中的SRAM与DRAM
eMMC 是针对手机或平板电脑等产品的内嵌式存储器标准规格。现在主流旗舰手机都采用eMMC 5.0规格的闪存或者更新的UFS 2.0闪传标准，有着比eMMC 5.0更快的读取性能。
EEPROM和FLASH 的最主要的区别就是：1.EEPROM 可以按“位”擦写，而FLASH 只能一大片一大片的擦。
CAS（Container Attached Storage）即，容器附加存储 。区别于 CAS（Content-Addressable Storage），内容寻址存储。
识别flash是SLC还是MLC？第3个字节，3rd byte，所表示的信息，其中就有SLC/MLC的识别信息。
