企业空间 采购商城 存储论坛
华为全闪存阵列 IBM云计算 Acronis 安克诺斯 安腾普 腾保数据
首页 > 存储百科 > 存储技术 > 正文

SRAM、DRAM、SDRAM、DDR3、DDR4介绍及区别

2017-02-07 13:58来源:中国存储网
导读:SRAM、DRAM、SDRAM、DDR3、DDR4介绍及区别,SDRAM:同步动态随机访问存储器,SRAM:静态随机访问存储器,与DDR3相比,DDR4提供更高的时钟频率和传输速率

SRAM、DRAM、SDRAM、DDR3、DDR4介绍及区别

SRAM:静态随机访问存储器

一个SRAM存储单元由4个晶体管和2个电阻器组成,利用晶体管的状态切换来存储数据,而不是电容器,因此读数据时不存在漏电问题,不需要刷新操作。但是由于SRAM需要的晶体管数多,因此成本高。

DRAM:动态随机访问存储器

一个DRAM存储单元由1个晶体管和1个电容器组成,利用电容量存储电量的多少来存储数据,由于电容器存在漏电问题,因此需要定期刷新。读数据时,电容量的电量会消失,因此每次访问之后,也需要刷新,以防止数据丢失。

SDRAM:同步动态随机访问存储器

同步是指 Memory工作需要同步时钟,内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准。传统的DRAM在两个读周期之间需要等待一段时间,用于充电操作。而SDRAM一个模组有两个bank,在对一个bank充电时,可以操作另一个bank,实现流水线。

SDRAM的发展已经经历了五代:分别是SDR SDRAM、 DDR SDRAM、 DDR2 SDRAM、 DDR3 SDRAM、 DDR4 SDRAM。

DDR3:

2005年制造出DDR3的原型产品。2007年,市场开始使用DDR3内存芯片。

与DDR2相比,DDR3采用8bit预取,因此提供更高的传输速率(2133MT/s);更低的工作电压(1.5V,DDR2工作电压为1.8V),另外采用了不同的封装工艺,因此能耗更低。

延迟周期同样比DDR2增长,引脚数增加。

DDR4:

2011年,samsung宣布生产出第一个DDR4内存模块。2012年,samsung、Micron等开始量产DDR4 SDRAM芯片。

与DDR3相比,DDR4提供更高的时钟频率和传输速率(4166MT/s);更低的工作电压(1.05~1.2V),因此能耗更低。

继续阅读
关键词 :
SRAM SDRAM
相关阅读
  • SRAM的工作原理图解

    SRAM的工作原理图解,SRAM中的每一bit存储在由4个场效应管(M1, M2, M3, M4)构成两个交叉耦合的反相器中。

  • SRAM存储器原理介绍

    SRAM(Static Random Access Memory),即静态随机存取存储器,SRAM主要应用于需要缓存比较小或对功耗有要求的系统。

  • 各种存储器比较(PCM,STT RAM,SRAM,DRAM,Flash NAND,HDD)

    各种存储器比较(PCM,STTRAM,SRAM,DRAM,Flash NAND,HDD),看出忆阻器在集成密度,数据的读写时间有着比较明显的优势

  • NAS 网络附加存储

    NAS 网络附加存储是一个共享存储设备,可以向开放式系统服务器提供整合的文件系统和存储服务,每个 NAS 设备都具有自己的唯一 IP 地址。

  • EEPROM和EPROM存储器详解

    EPROM和EEPROM是不同的,EPRO为“可擦除可编程只读存储器”,EEPROM即电可擦除可编程只读存储器,其内容在掉电的时候也不会丢失。

  • STT-RAM存储技术原理及详解

    STT RAM(Shared Transistor Technology Random Access Memory) STT-RAM写入数据的自旋矩传输(STT)方法 ,STT RAM一直被考虑作为片上SRAM缓存的替代技术。

产品推荐
头条阅读
百科热点

Copyright @ 2006-2018 ChinaStor.COM 版权所有 京ICP备14047533号

中国存储网

存储第一站,存储门户,存储在线交流平台