综合起来可以看出忆阻器在集成密度，数据的读写时间有着比较明显的优势，
Endurance：代表器件最大的擦写次数；
STTRAM：自旋扭矩转换随机存储器，物理机制是磁致阻变效应；
SRAM：静态随机存储器，主要用来制造CPU与主板之间的缓存。
DRAM：动态随机存储器，用途主要在内存上。忆阻器的大部分参数可以和DRAM相比，也可以用来制造内存。
Flash(NAND):闪存。用途：固态硬盘，便携式存储器。
HDD：硬盘。
什么是高可用性？High Available Computing，简称HA，高可用(High Availability)也不是绝对的，不同的业务系统对高可用的需求是不一样的。
不同进制之间的数字是如何转换的，这在编程中经常会用到，尤其是C语言，二进制、八进制和十六进制向十进制转换都是非常容易的，就是“按权相加”。
DRAM、SDRAM和SRAM的区别，SRAM ： 静态RAM，不用刷新，速度可以非常快，像CPU内部的cache，都是静态RAM，缺点是一个内存单元需要的晶体管数量多，因而价格昂贵，容量不大
DRAM是Dynamic random access memory 的缩写，称为动态随机存取存储器。与之前介绍的SRAM静态随机存储器相比，DRAM功耗更小。详细请参照SRAM存储器原理介绍中的SRAM与DRAM
SRAM（Static Random Access Memory），即静态随机存取存储器，SRAM主要应用于需要缓存比较小或对功耗有要求的系统。
