综合起来可以看出忆阻器在集成密度，数据的读写时间有着比较明显的优势，
Endurance：代表器件最大的擦写次数；
STTRAM：自旋扭矩转换随机存储器，物理机制是磁致阻变效应；
SRAM：静态随机存储器，主要用来制造CPU与主板之间的缓存。
DRAM：动态随机存储器，用途主要在内存上。忆阻器的大部分参数可以和DRAM相比，也可以用来制造内存。
Flash(NAND):闪存。用途：固态硬盘，便携式存储器。
HDD：硬盘。
既然可以用 0~9 共十个数字来表示数值，那么也可以用0、1两个数字来表示数值，这就是二进制（Binary）。
EPROM和EEPROM是不同的，EPRO为“可擦除可编程只读存储器”，EEPROM即电可擦除可编程只读存储器，其内容在掉电的时候也不会丢失。
STT RAM(Shared Transistor Technology Random Access Memory) STT-RAM写入数据的自旋矩传输(STT)方法 ,STT RAM一直被考虑作为片上SRAM缓存的替代技术。
SRAM（Static Random Access Memory），即静态随机存取存储器，SRAM主要应用于需要缓存比较小或对功耗有要求的系统。
NAS 网络附加存储是一个共享存储设备，可以向开放式系统服务器提供整合的文件系统和存储服务，每个 NAS 设备都具有自己的唯一 IP 地址。
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