综合起来可以看出忆阻器在集成密度，数据的读写时间有着比较明显的优势，
Endurance：代表器件最大的擦写次数；
STTRAM：自旋扭矩转换随机存储器，物理机制是磁致阻变效应；
SRAM：静态随机存储器，主要用来制造CPU与主板之间的缓存。
DRAM：动态随机存储器，用途主要在内存上。忆阻器的大部分参数可以和DRAM相比，也可以用来制造内存。
Flash(NAND):闪存。用途：固态硬盘，便携式存储器。
HDD：硬盘。
eMMC 是针对手机或平板电脑等产品的内嵌式存储器标准规格。现在主流旗舰手机都采用eMMC 5.0规格的闪存或者更新的UFS 2.0闪传标准，有着比eMMC 5.0更快的读取性能。
CAS（Container Attached Storage）即，容器附加存储 。区别于 CAS（Content-Addressable Storage），内容寻址存储。
识别flash是SLC还是MLC？第3个字节，3rd byte，所表示的信息，其中就有SLC/MLC的识别信息。
DRAM是Dynamic random access memory 的缩写，称为动态随机存取存储器。与之前介绍的SRAM静态随机存储器相比，DRAM功耗更小。详细请参照SRAM存储器原理介绍中的SRAM与DRAM
EEPROM和FLASH 的最主要的区别就是：1.EEPROM 可以按“位”擦写，而FLASH 只能一大片一大片的擦。
