综合起来可以看出忆阻器在集成密度，数据的读写时间有着比较明显的优势，
Endurance：代表器件最大的擦写次数；
STTRAM：自旋扭矩转换随机存储器，物理机制是磁致阻变效应；
SRAM：静态随机存储器，主要用来制造CPU与主板之间的缓存。
DRAM：动态随机存储器，用途主要在内存上。忆阻器的大部分参数可以和DRAM相比，也可以用来制造内存。
Flash(NAND):闪存。用途：固态硬盘，便携式存储器。
HDD：硬盘。
EPROM和EEPROM是不同的，EPRO为“可擦除可编程只读存储器”，EEPROM即电可擦除可编程只读存储器，其内容在掉电的时候也不会丢失。
SAN（Storage Area Network)存储局域网络，一个存储系统的构成包含存储组件、存储装置、计算机系统等设备，再加上相关的控制软件及网络上通信讯息的传递。
分布式存储简单的来说，就是将数据分散存储到多个数据存储存储服务器上。分布式存储就是利用分布式技术将标准X86服务器的本地HDD、SSD等存储介质组织成一
SRAM（Static Random Access Memory），即静态随机存取存储器，SRAM主要应用于需要缓存比较小或对功耗有要求的系统。
EEPROM和FLASH 的最主要的区别就是：1.EEPROM 可以按“位”擦写，而FLASH 只能一大片一大片的擦。
