综合起来可以看出忆阻器在集成密度，数据的读写时间有着比较明显的优势，
Endurance：代表器件最大的擦写次数；
STTRAM：自旋扭矩转换随机存储器，物理机制是磁致阻变效应；
SRAM：静态随机存储器，主要用来制造CPU与主板之间的缓存。
DRAM：动态随机存储器，用途主要在内存上。忆阻器的大部分参数可以和DRAM相比，也可以用来制造内存。
Flash(NAND):闪存。用途：固态硬盘，便携式存储器。
HDD：硬盘。
二进制、八进制、十进制、十六进制的对应关系，八进制有0~7共8个数字，基数为8，逢八进一，借一当八；十六进制中，用A来表示10，B表示11，C表示12，D表示13，E表示14，F表
SRAM、DRAM、SDRAM、DDR3、DDR4介绍及区别，SDRAM：同步动态随机访问存储器，SRAM：静态随机访问存储器，与DDR3相比，DDR4提供更高的时钟频率和传输速率
STT RAM(Shared Transistor Technology Random Access Memory) STT-RAM写入数据的自旋矩传输(STT)方法 ,STT RAM一直被考虑作为片上SRAM缓存的替代技术。
各种存储器比较（PCM,STTRAM,SRAM,DRAM,Flash NAND,HDD），看出忆阻器在集成密度，数据的读写时间有着比较明显的优势
eMMC 是针对手机或平板电脑等产品的内嵌式存储器标准规格。现在主流旗舰手机都采用eMMC 5.0规格的闪存或者更新的UFS 2.0闪传标准，有着比eMMC 5.0更快的读取性能。
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