综合起来可以看出忆阻器在集成密度，数据的读写时间有着比较明显的优势，
Endurance：代表器件最大的擦写次数；
STTRAM：自旋扭矩转换随机存储器，物理机制是磁致阻变效应；
SRAM：静态随机存储器，主要用来制造CPU与主板之间的缓存。
DRAM：动态随机存储器，用途主要在内存上。忆阻器的大部分参数可以和DRAM相比，也可以用来制造内存。
Flash(NAND):闪存。用途：固态硬盘，便携式存储器。
HDD：硬盘。
二进制、八进制、十进制、十六进制的对应关系，八进制有0~7共8个数字，基数为8，逢八进一，借一当八；十六进制中，用A来表示10，B表示11，C表示12，D表示13，E表示14，F表
EPROM和EEPROM是不同的，EPRO为“可擦除可编程只读存储器”，EEPROM即电可擦除可编程只读存储器，其内容在掉电的时候也不会丢失。
既然可以用 0~9 共十个数字来表示数值，那么也可以用0、1两个数字来表示数值，这就是二进制（Binary）。
SRAM、DRAM、SDRAM、DDR3、DDR4介绍及区别，SDRAM：同步动态随机访问存储器，SRAM：静态随机访问存储器，与DDR3相比，DDR4提供更高的时钟频率和传输速率
英特尔快速存储技术，简称Intel RST，整合了磁盘管理程序控制台及SATA、AHCI、RAID驱动程序，主要用于Intel芯片组的磁盘管理、应用支持、状态查看等应用。
