企业空间 采购商城 存储论坛
华为全闪存阵列 IBM云计算 Acronis 安克诺斯 安腾普 腾保数据
首页 > 存储百科 > 存储技术 > 正文

SRAM存储器原理介绍

2015-02-07 14:20来源:中国存储网
导读:SRAM(Static Random Access Memory),即静态随机存取存储器,SRAM主要应用于需要缓存比较小或对功耗有要求的系统。

SRAM(Static Random Access Memory),即静态随机存取存储器。它是一种具有静止存取功能的内存,不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。 

SRAM主要应用于需要缓存比较小或对功耗有要求的系统。例如,很多8 BIT MCU,由于能支持的RAM比较小,内部缓存又不够;或者16 BIT MCU,支持的RAM比较大,但对功耗有要求而无法用DRAM的系统。
SRAM与DRAM的区别

 

SRAM

DRAM

结构

     6个晶体管为1个存储单元(GIGADEVICE2晶体管,但STANDBY电流大),

1个晶体管为1个存储单元,但需要刷新。

 

工作状态下

10Ma-30mA

100mA以上  

Standby(待机)

1uA-20uA  

10mA以上

存取速度  

快的一般为101215nS左右,慢的一般为55nS70nS  

快,一般小于10nS

容量  

目前最大到16M BIT  

单片能到 512M BIT  

  SRAM的应用领域

应用领域

通信、仪器仪表等

字典机、POS、打印机、游戏机、工控、仪器仪表等

10mA以上

容量(BIT)

256K1M2M4M

256K1M2M4M8M16M

快,一般小于10nS

容量  

目前最大到16M BIT  

单片能到 512M BIT  

 相关推荐:

DRAM存储器原理介绍

继续阅读
关键词 :
SRAM 存储器
相关阅读
  • EEPROM和EPROM存储器详解

    EPROM和EEPROM是不同的,EPRO为“可擦除可编程只读存储器”,EEPROM即电可擦除可编程只读存储器,其内容在掉电的时候也不会丢失。

  • 如何识别SLC还是MLC 闪存?

    识别flash是SLC还是MLC?第3个字节,3rd byte,所表示的信息,其中就有SLC/MLC的识别信息。

  • 数据存储容量单位转换 1ZB等于1024EB

    1ZB等于1024EB,1YB等于多少GB,是可以通过换算得到的,1YB等于1024ZB,1ZB等于1024EB,1EB等于1024PB,1PB等于1024TB,1TB等于1024GB,1GB等于1024MB,1MB等于1024KB,1KB

  • 什么是SAN?

    SAN(Storage Area Network)存储局域网络,一个存储系统的构成包含存储组件、存储装置、计算机系统等设备,再加上相关的控制软件及网络上通信讯息的传递。

  • RST 英特尔快速存储技术

    英特尔快速存储技术,简称Intel RST,整合了磁盘管理程序控制台及SATA、AHCI、RAID驱动程序,主要用于Intel芯片组的磁盘管理、应用支持、状态查看等应用。

产品推荐
头条阅读

Copyright @ 2006-2019 ChinaStor.COM 版权所有 京ICP备14047533号

中国存储网

存储第一站,存储门户,存储在线交流平台