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SRAM存储器原理介绍

2015-02-07 14:20来源:中国存储网
导读:SRAM(Static Random Access Memory),即静态随机存取存储器,SRAM主要应用于需要缓存比较小或对功耗有要求的系统。

SRAM(Static Random Access Memory),即静态随机存取存储器。它是一种具有静止存取功能的内存,不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。 

SRAM主要应用于需要缓存比较小或对功耗有要求的系统。例如,很多8 BIT MCU,由于能支持的RAM比较小,内部缓存又不够;或者16 BIT MCU,支持的RAM比较大,但对功耗有要求而无法用DRAM的系统。
SRAM与DRAM的区别

 

SRAM

DRAM

结构

     6个晶体管为1个存储单元(GIGADEVICE2晶体管,但STANDBY电流大),

1个晶体管为1个存储单元,但需要刷新。

 

工作状态下

10Ma-30mA

100mA以上  

Standby(待机)

1uA-20uA  

10mA以上

存取速度  

快的一般为101215nS左右,慢的一般为55nS70nS  

快,一般小于10nS

容量  

目前最大到16M BIT  

单片能到 512M BIT  

  SRAM的应用领域

应用领域

通信、仪器仪表等

字典机、POS、打印机、游戏机、工控、仪器仪表等

10mA以上

容量(BIT)

256K1M2M4M

256K1M2M4M8M16M

快,一般小于10nS

容量  

目前最大到16M BIT  

单片能到 512M BIT  

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关键词 :
SRAM 存储器
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