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三星电子第七代V-NAND闪存将达到至少160层

2020-04-21 07:29来源:科技号
导读:三星电子正在开发其第7代V-NAND闪存,第一款产品将至少达到160层。

科技号消息,根据外媒的报道,三星电子正在开发其第7代V-NAND闪存,第一款产品将至少达到160层。

三星电子第七代V-NAND闪存将达到至少160层

外媒表示,三星的160层的V-NAND产品可能会在长江储存128层产品大量上市时推出,时间大约是2020年底。

4月13日,长江存储科技有限责任公司宣布其128层QLC 3D NAND 闪存(型号: X2-6070)研发成功,并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。长江存储表示,X2-6070拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度,最高I/O传输速度和最高单颗NAND 闪存芯片容量,拥有1.6Gb/s高速读写性能和1.33Tb高容量。

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关键词 :
三星 V-NAND 闪存
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