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三星研发 QLC V-NAND闪存 容量可达128TB

2017-09-08 09:59来源:中国闪存市场
导读:第五代V-NAND正在开发中,单Die容量达到1Tbit,IO速度达到1200Mbps,在不久的将来面世。

2017年9月6日,由深圳市闪存市场资讯有限公司主办的以“中国存储•全球格局”为主题的中国闪存市场峰会(CFMS2017)在深圳华侨城洲际酒店圆满结束。本次峰会不仅邀请三星、美光、英特尔、谷歌、江波龙等国内外重要嘉宾演讲,还吸引来自全球的观众超过1200人,其中包括微软、东芝、西部数据、SK海力士、长江存储、华为、联想、中兴、网易等业内企业重要人士参会。

上午十点,三星NAND Flash副总裁Kenny Han先生为我们带来了三星闪存解决方案与全球市场的主体演讲。演讲分三个章节进行,存储市场趋势,三星V-NAND介绍以及三星存储方案介绍。

三星研发 QLC V-NAND闪存 容量可达128TB

数据存储需求在持续不断增长中

数据增长在加速,到2015年,数据已经由最初的音频/文本互联时代进入到了云存储时代。预计在2020年,数据将进入第四个时代(机器互联时代)。且2025年的总数据量将达到160ZB,是2015年的十倍。人类每天数据产出量,机器每天数据的产出量,智能汽车每天的数据产出量,Kenny Han表示,数据量将从当今的500GB预计将增长为2025年的50TB。

三星研发 QLC V-NAND闪存 容量可达128TB

NAND Flash是数据时代的关键,普遍应用于手机,服务器,工业,家用,智能汽车,物联网等。Kenny Han表示,Mobile和PC/Server是NAND Flash应用的主要的两个领域。在不断持续增长的数据存储需求下,2021年预计超过50%的Mobile应用以及超过30%的PC/Server需求来自中国。

三星研发 QLC V-NAND闪存 容量可达128TB

三星第五代V-NAND将面世,达到1200Mbps

三星2002年发布了全球第一个1Gbit单Die的NAND Flash,2013年首次发布V-NAND技术,到如今2017年已经发展到第四代,64叠层,512Gbit单Die,800Mbps的速度。Kenny Han表示,对于新技术的开拓,三星将不会停止这种脚步,并会一直发展下去,第五代V-NAND正在开发中,单Die容量达到1Tbit,IO速度达到1200Mbps,在不久的将来面世。

三星研发 QLC V-NAND闪存 容量可达128TB

Kenny Han表示,三星第四代V-NAND可以提供很高的性能,可以应用于智能手机,也可以应用于其他场合。三星可以提供高达512GB UFS供智能手机应用,也可以提供高集成封装的1TB BGA满足PC向轻薄型趋势发展,同时还可以做32TB的SAS以及NVMe SSD,待1Tbit QLC出来,还可以做到最大容量的128TB SSD。

三星研发 QLC V-NAND闪存 容量可达128TB

三星为各种各样的应用提供存储解决方案,比如:智能手机、PC、服务器、汽车以及零售行业的各种应用。

Kenny Han表示,针对手机应用,三星有嵌入式存储如eMMC,UFS以及外部存储uSD卡和UFS卡等。三星的UFS具有很高的性能,容量从64GB到512GB。主流的eMMC容量从4GB到256GB。对于UFS卡,三星已经准备好向市场推出。相比于闪存卡,UFS卡的性能提高了近6倍,且在功耗方面,只有传统闪存卡的80%。

三星零售SSD产品线包含了内置SSD以及便携式SSD。Kenny Han重点提到,便携式T5产品,容量最大达到2TB。零售闪存卡的解决方案方面,有Pro Plus、Evo 、Evo Plus等几种,所支持的容量都不相同,最大的容量是256GB。

三星研发 QLC V-NAND闪存 容量可达128TB

三星企业级SSD产品线,分两部分。NVMe系列,容量从2TB到16TB,物理接口包含HHHL和U.2,2.5英寸SAS系列,型号为PM1643。数据中心SSD产品线也分NVMe和SATA两个接口系列。展台上有展出了最新的NGSFF接口的PM983,顺序读写达到了3200/200MB/s。

三星研发 QLC V-NAND闪存 容量可达128TB

三星研发 QLC V-NAND闪存 容量可达128TB

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三星的新兴SSD方案,具有三大要素:延迟低,高容量以及新接口。Kenny Han表示,三星的Z-SSD是最低延迟的SSD产品,采用从V-NAND优化过来的Z-NAND介质,读延迟比传统的NAND低了15倍,而Z-SSD读延迟只有15us, 比传统SSD降了5.5倍,针对高容量SSD产品,三星用于世界上第一个32TB 的SAS SSD PM1643,后续还会推出基于QLC 的128TB 的SSD。NGSFF是三星定义的一个新的接口类型,相比于M.2来讲,能做更大容量,尺寸为110mmX30.5mm。1U规格能存576TB数据,2U规格可以达到1.15PB的数据。

三星研发 QLC V-NAND闪存 容量可达128TB

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Kenny Han讲到,三星在中国有两个工厂在西安,有三个办事处(北京,上海,深圳)。在2012年三星已经投入70亿美元建立第一个工厂,计划在2017年再次投入70亿美元建第2个工厂,并表示三星将会尽力成为中国一个更好的供应商,同时也会和中国的一些公司成为更好的合作伙伴。

三星电子未来的发展目标是“激励世界,创造未来”。众所周知,三星电子NAND Flash和DRAM存储芯片已连续多年处于全球市场份额第一位置,在消费级SSD和企业级SSD产品市场占有率也是全球领先。三星电子坚持对于技术的高投入、高品质的坚持、敏锐的市场嗅觉,2017年第二季度已成为全球最大销售额的半导体公司。伴随手机高容量趋势和SSD普及,三星存储在全球也进一步快速成长,继续保持领先的市场份额优势。由于三星在市场的优秀表现,中国闪存市场峰会授予了三星最佳市场表现奖。

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