分析报告：2020年存储器行业现状–中国新玩家将改变存储器市场的格局

中存储网消息，近日国外咨询机构YOLE发布了2020年存储器行业现状调查报告，报告包括以下内容：

新增内容

• 分析COVID-19对独立存储器市场的影响：对需求，位出货量和CAPEX的影响
• 考虑到COVID-19的影响以及中国新参与者的加入，对NAND和DRAM市场的最新市场预测（2019年至2025年）
• NOR存储器业务概述：参与者，增长动力，与密度有关的应用程序，市场份额，ASP，收入等
• 最新的IDM领先公司的财务分析-包括三星，SK hynix，Kioxia，Western Digital，美光和英特尔
• 更新了中国存储器厂商的清单，并详细介绍了他们在DRAM，NAND，NOR和新兴NVM业务中的活动
• 鉴于IPO，深入了解Kioxia的NAND业务

主要特征

• 独立存储器市场和相关技术的摘要，包括NAND，DRAM，持久性存储器，NOR，（NV）SRAM，新兴的NVM等
• 描述技术趋势和挑战，扩展路线图以及独立存储技术的主要参与者概述
• 从系统角度分析内存市场，详细说明服务器，智能手机，个人计算机，企业/客户端SSD和车辆的当前和未来内存需求
• 独立存储器最重要的终端市场概况，即数据中心，移动，汽车，PC和消费类电子产品
• 介绍存储设备的包装解决方案，并描述新兴的包装技术和市场趋势
• 嵌入式内存技术概述以及在内存计算应用中的进展
• 独立内存供应链的映射，近期并购和合资企业的分析，值得注意的新闻清单以及2019-2020年的公司公告

报告目标

提供对独立内存技术和应用程序的了解：

• 具有技术节点，产品开发状态，芯片密度，扩展挑战和潜在解决方案的路线图
• 关键系统中的内存内容演进：服务器，智能手机，个人计算机，车辆，企业和客户端SSD
• 主要内存终端市场：数据中心，移动，汽车，PC和消费类电子产品

提供独立存储器业务的市场预测：

• NOR，（NV）SRAM和其他技术（包括PCM，MRAM和RRAM）的市场预测（2019年至2025年）
• NAND和DRAM的市场预测（2019年至2025年），其中包括参与者的资本支出，每位价格，市场份额，位需求，位出货量，晶圆生产等详细信息。

详细分析竞争格局：

• 财务分析：主要存储器公司的收入，资本支出，研发，运营成本和利润率
• 最近的并购，启动资金和最新的公司新闻

 概述

2020年大流行期间，NAND和DRAM将在独立存储市场推动新的增长

在诸如移动性，云计算，人工智能（AI）和物联网（IoT）等重要大趋势的推动下，独立内存市场在过去十年中经历了惊人的增长。然而，这一令人兴奋的增长期于2018年第四季度结束，当时NAND和DRAM市场均因需求疲软而开始出现供过于求的状态。这包括智能手机销售低于预期以及数据中心需求放缓。内存供应商及其OEM客户的库存水平增加，2019年平均销售价格（$ / Gb）下降超过40％。同时，DRAM和NAND总收入达到?106B，比2018年下降34％.2019年， DRAM和NAND资本支出的大幅削减引发了市场复苏，该复苏始于2019年底，并一直持续到2020年。

NAND和DRAM是无处不在的技术，一起占整个独立存储器市场的96％。因此，它们对存储器行业的整体状况和动态影响很大。但是，除了NAND??和DRAM外，还有各种各样的技术可以满足不同终端系统和市场的需求。NOR闪存是第三大市场（2019年约为$ 2.3B），受到众多应用的推动，包括工业和安全性（例如监控摄像头），消费类和汽车电子产品以及电信基础设施（例如5G基站）。尽管存在一些季节性和周期性，但NOR收入预计将以4％的CAGR2019-2025增长。

其他技术，例如易失性和非易失性（NV）SRAM，铁电RAM（FRAM）和EEPROM代表着“利基”市场，这些市场是相当静态的，合计仅占独立存储器市场的约1.5％。

另一方面，新兴的非易失性存储器（NVM）技术（例如MRAM，PCM和RRAM）正在存储级存储器（SCM）市场中腾飞。到2025年，他们的合并收入预计将达到约40亿美元，复合年增长率（CAGR2019-2025）为4 0％。在这一领域，由于英特尔的参与，PCM（3D XPoint）将继续保持领先地位，直到2025年。英特尔通过OptaneTM非易失性内存模块领导持久性存储器业务。

中国新玩家的入驻将改变存储器市场的格局

在过去的十年中，市场集中度显着提高，现在已经非常高。三个主要的NAND和DRAM厂商-三星，美光和SK hynix-以及两个纯NAND厂商Kioxia和Western Digital一起占据了独立存储器市场的90％左右。预计东芝公司将以2020年10月的首次公开募股（IPO）的形式出售其所持有的40.2％的股份，以减轻其子公司Kioxia Holdings Corporation的负担。但是，美国最近的限制有所加强（9月）华为（Kioxia的主要客户之一）于2020年15月15日上市，以及对第二波COVID-19大流行的担忧，可能促使Kioxia的高管推迟了IPO的日期。Kioxia在NAND市场中占有第二高的市场份额，自1980年代后期发明这项技术以来，它在业界一直占有一席之地。Kioxia和Western Digital的合资企业拥有业内最高的NAND晶圆产能，但其营业利润率仍落后于行业领先者三星。两家公司选择采用112层（低于行业“标准” 128层）和160层（相对于“标准”为176层），以提高工具的可重复使用性并节省资金。

在DRAM业务中，寻求通过在2019年大幅度削减资本支出（25％– 30％）来寻求市场平衡。直到第三季度至19季度，供应商都计划在2020年再次减少资本支出。三星有望在2020年之前推出基于1z技术的产品。SK海力士将紧随其后。

同时，中国厂商开始威胁市场均衡，并可能引发存储器业务的深刻变化。在NAND业务中，扬子存储技术有限公司（YMTC）是中国领先的存储器制造商。该公司目前正在国内小批量运送64L NAND（包括SSD），预计在2021年将有128L的产品正在开发中，并计划发货。

相比之下，中国DRAM仍处于技术开发阶段。DRAM制造非常困难，中国要与整个行业实现竞争对等可能需要更长的时间。中国最先进的DRAM制造商长兴存储技术有限公司（CXMT）有望在2020年提高1xnm节点的产量。

对于NAND，我们预计2021年YMTC的大量产量（?4％）将会进入市场，而DRAM则需要更长的时间。

技术节点迁移正变得越来越困难和昂贵

NAND和DRAM的可扩展性原本应该在2020年达到顶峰，但是存储器制造商和设备制造商已经发现了新的解决方案，可以超越这一限制。新的制造技术包括自对准多重图案化，极紫外（EUV）光刻和计量学，以及高纵横比（HAR）蚀刻，以在3D NAND设备中产生接触孔。用于异构集成的新颖高级封装方法（即3D堆栈和2.5D硅中介层）使高带宽内存（HMB）能够在计算单元（CPU / GPU）和DRAM之间进行快速数据传输。

所有这些奇异的技术解决方案为半导体行业提供了新的机会，可以提高下一代存储设备的位密度，改善其带宽并降低其功耗和单位成本。但是，随着每一代技术的发展，比特增长变得越来越昂贵。例如，随着每个节点的迁移，DRAM中的多图案要求不断增加，从而导致了额外的处理步骤，因此每个生产的晶圆都有更多的洁净室空间。随着DRAM的缩小和缺陷可能性的增加，DRAM制造商正在评估从自对准多重图案转换为EUV光刻的想法。值得注意的是，三星最近宣布在1x节点上出货了100万条使用EUV技术制造的DDR4 DRAM模块。

利用我们在存储器技术和相关市场方面的综合专业知识，Yole推出了第二版的《存储器行业现状》报告。本报告旨在提供独立存储器市场及其竞争格局的最广泛概述，详细介绍独立存储器领域的技术挑战，机遇和趋势，包括NAND，DRAM，NOR，（NV）SRAM，新兴NVM，以及更多。

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