新的6nm工艺也有EUV极紫外光刻技术，相比7nm+(N7+)增加了一个极紫外光刻层，同时相比7nm(N7)可将晶体管密度提升18％。
不久前，台积电官方宣布了 6nm（N6）工艺节点，在已有 7nm（N7）工艺的基础上增强而来，号称可提供极具竞争力的高性价比，而且能加速产品研发、量产、上市速度。台积电 CEO 兼副董事长魏哲家（CC Wei）最新披露，绝大多数 7nm 工艺客户，都会转向 6nm 工艺，使用率和量产产能都会迅速扩大。
（图 AnandTech）
考虑到6nm工艺沿用了7nm工艺的设计规则，升级迁移还是相当容易的，成本增加不大，性能功耗方面又有提升(虽然不会特别明显)，客户自然也乐得上新工艺，看起来这代工艺会相当流行。
台积电现在的7nm工艺有两个版本，第一代7nm(N7)采用传统DUV光刻技术，第二代7nm+(N7+)则是首次加入EUV极紫外光刻，已进入试产阶段，预计下一代苹果A、华为麒麟都会用，2019年两者合计可贡献大约25％的收入。
新的6nm工艺也有EUV极紫外光刻技术，相比7nm+(N7+)增加了一个极紫外光刻层，同时相比7nm(N7)可将晶体管密度提升18％，而且设计规则完全兼容7nm(N7)，便于升级迁移，降低成本，相比之下7nm+(N7+)则是另一套设计规则。
台积电6nm预计2020年第一季度试产，再往后的5nm工艺也已经开始试产，号称相比于第一代7nm晶体管密度提升45％，可带来15％的性能提升或20％的功耗下降。
事实上，台积电预计多数7nm工艺客户会转向6nm然后再次升级到5nm，7nm+则不会那么普及，不少客户可能会选择跳过。
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