2011-08-06 21:20:00
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EDEC固态技术协会宣称,DDR4将具备一系列创新特性,可带来更快的运行速度和广泛的实用性,包括服务器、笔记本、台式机、消费电子产品等等,其频率、电压和架构也都在进行重新定义,目标是简化新标准的迁移和部署。

JEDEC固态技术协会今天公布了DDR4内存标准中的部分关键属性,并宣布将在2012年年中正式发布新一代内存标准规范,相比于DDR3取得重大性能提升,同时继续降低功耗。

JEDEC固态技术协会宣称,DDR4将具备一系列创新特性,可带来更快的运行速度和广泛的实用性,包括服务器、笔记本、台式机、消费电子产品等等,其频率、电压和架构也都在进行重新定义,目标是简化新标准的迁移和部署。

提议中的路线图显示,DDR4内存的VDDQ电压将设定在仅仅1.2V,并在未来进一步降低VDD电压,此外还会保证I/O电压的稳定。相比之下,DDR3标准版电压为1.5V,低压版也有1.35V。

DDR4内存每个针脚的数据传输率将达到1.6Gbps,最高会冲击3.2Gbps。考虑到DDR3就有望冲破1.6GT/s的极限,DDR4在未来应该还会具备更高的性能水准。其它提议中的性能改进还包括:DQ总线伪开漏接口(pesudo open drain interface)、2667MHz及更高数据率的低速档模式(geardown mode)、bank分组架构(bank group)、内部生成VreDQ电压、训练模式(training mode)改进。

DDR4架构上采用了8n预取的bank分组,包括使用两个或者四个可选择的bank分组,这将使得DDR4内存的每个bank分组都有独立的激活、读取、写入和刷新操作,从而改进内存的整体效率和带宽,尤其是在使用较小的内存粒度(memory granularity)的时候。

在此之前,三星和海力士已经分别造出了试验性的DDR4内存条。预计DDR4内存将于2014年投入商用,2015年即迅速普及。

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