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2025年全球内存市场规模将达到2706亿美元

2019-05-20 17:34来源:中国存储网
导读:据预测,2025年全球内存市场规模将达到2706亿美元,2018年至2025年的复合年增长率为8.4%。

2025年全球内存市场规模将达到2706亿美元

来自Reportbuyer.com的2019-2025报告显示,由于手机和云服务需求强劲以及供应商集中度提高,全球内存市场价值达到1534亿美元,同比增长23.7%,增长了23.7%。

随着AI,AR / VR和物联网等新兴技术的兴起以及消费者和汽车电子等下游行业需要更多,全球内存需求将继续增长。

据预测,2025年全球内存市场规模将达到2706亿美元,2018年至2025年的复合年增长率为8.4%。

记忆由DRAM和闪存引领。尽管在断电时出现波动,但DRAM在系统中使用最广泛,其性能和成本低于同类产品。2018年,全球DRAM市场价值达948亿美元左右,比上一年增长30.2%; 闪存芯片是最常见的非易失性存储器,它在大容量存储领域具有最广泛的应用,因为即使关闭电源它也是非易失性的。2018年,NAND闪存销售额按年增长率跃升14.4%至563亿美元; NOR闪存销售额约为19亿美元; 其他存储器(包括SRAM)的市场规模达到约4亿美元。

记忆细分市场的竞争格局各不相同。

在全球DRAM市场中,三星电子仍然占据46%的市场份额,其四个DRAM工厂全部拥有12英寸生产线,每月可生产39.5万台; 来自现代科技的另一家韩国供应商SK海力士占据28%的份额,成为全球第二大DRAM供应商,在韩国拥有8英寸晶圆生产线和两条12英寸生产线,在俄勒冈州生产8英寸生产线,美国,以及中国无锡的一条12英寸生产线; 在收购ELPIDA和Rexchip以及整合Inotera Memories的产能后,美国的美光科技占据市场份额的21%,并且拥有每月约340,000台的DRAM容量。

至于NAND闪存,全球市场已被五家供应商垄断,即三星,东芝,美光,SK海力士和西部数据,CR5达到惊人的98%。三星电子的NAND闪存容量达到每月560,000台,已决定扩大其位于中国西安市的工厂的第二阶段,以获得更大的NAND闪存容量。东芝和西部数据将保持合作关系,每月的集体容量为51万台; 东芝的Fab 6仍在建设中,将启动96层3D NAND扩容计划; 此外,其Fab 7已经启动,并将于下半年投入运营,生产96层以上的3D NAND,并于2020年投入批量生产。美光每月产能为35万台,并计划建设其工厂的第三阶段。SK海力士将建造另一座新工厂M15,在其位于韩国清州的现有工厂现场​​生产96层以上的3D NAND,并于2019年投入使用,月产能为50,000台。清华大学旗下的中国玩家扬子记忆科技有限公司将于2019年底在武汉市的制造基地产能达到15万台。

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