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Apacer通过3D NAND闪存优化定位精度

2019-11-07 20:17来源:中国存储网
导读:Apacer公司已经开发了NAND闪存技术的某些优化。这些优化的目的是为客户提供最适合其应用的P/E周期。

NAND闪存已经成为一种成熟的技术,并且现在可用的各种格式已经在许多工业应用中采用。

但是,由于希望超越标准选项,Apacer公司已经开发了NAND闪存技术的某些优化。这些优化的目的是为客户提供最适合其应用的P / E周期。

此前,该公司开发了一种称为SLC-lite的NAND闪存优化形式。SLC-lite背后的中心概念是使2D MLC表现得像SLC。MLC包含2位,但是通过仅对2位(最低有效位(LSB))进行编程,单元分布的行为几乎与SLC闪存相同。然后,耐久性大大提高,达到20,000个P / E周期。标准2D MLC只能达到3,000个P / E周期。

但是,随着3D NAND闪存技术的成熟,该公司的工程师为3D NAND驱动器开发了与SLC-lite类似的工艺。该技术的两种新形式称为SLC-liteX和MLC-liteX。SLC-liteX基于3D NAND。该公司的工程团队对固件进行了调整,以便以这种格式提供最大数量的P / E周期-30,000,这是MLC或工业3D TLC的十倍。使用寿命最长,价格合理。

MLC-liteX也基于3D NAND技术。固件经过微调,提供的P / E周期(10,000)是MLC或工业3D TLC的三倍以上。在延长使用寿命的同时,实现了成本效益的优化。

3D NAND TLC的标准位格式在1个单元中存储3位。MLC-liteX仅编程3位中的2位。因此,MLC-liteX的容量仅减少了三分之一。这种权衡的优点是增加了P / E周期。按照这种思路,SLC-liteX仅对3位中的1位进行编程。因此,容量减少了三分之二,但可以使用更多的P / E周期。

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Apacer 3D NAND
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