3d闪存

第六代3D闪存技术采用超越传统八层交错式存储孔阵列的领先架构，其横向单元阵列密度比第五代技术提高了约10%2。

在云服务，5G，IoT，AI和自动驾驶的推动下，闪存市场预计将继续增长。这种扩展将确保Kioxia继续满足内存需求。

大家对3D闪存投入的加大，2D闪存产能持续下滑，导致全球SSD闪存供应紧张，这也是直接导致SSD大幅度涨价的根本原因之一

国际固态电路会议ISSCC 2015上，三星再次公开了3D V-NAND闪存技术的一些细节资料，涉及更加底层的闪存结构，最核心的是两代3D闪存的结构、密度对比。

Altimime表示，他们之前研究过这些材料，目前这些材料展现出非常精确的层状架构设计，最佳化了DC/AC电气性能，并具备良好的R-off到R-on比。I