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东芝与西部数据的合资闪存代工厂已经开始制造96层3D NAND芯片，而两家合作伙伴正在此基础上积极生产四级单元（简称QLC）产品。

英特尔傲腾的高性能与英特尔 QLC 3D NAND 的大容量存储性能，不仅会转变内存和存储的架构层次，更是企业面对海量数据管理挑战时迫切需要的能力。

第五代V-NAND正在开发中，单Die容量达到1Tbit，IO速度达到1200Mbps，在不久的将来面世。

西部数据公司正在积极为其64层3D NAND配备4bits/cell（四层单元，简称QLC）与bit成本伸缩（BiCS3）技术。

通过在1个存储单元中存储4比特信息——英特尔称之为QLC的技术，标准2.5英寸固态硬盘的存储容量可以增长至逾10TB。PCWorld表示，英特尔称QLC仍然处于研发阶段，没有披露推出采用QLC技术的闪存芯片的时间表。