15nm可能是DRAM制程微缩的极限，担忧三星遭中国业者追上。
三星电子为了巩固存储器霸业，制定DRAM发展蓝图，擘划制程微缩进度。业界预估，15nm可能是DRAM制程微缩的极限，担忧三星遭中国业者追上。
韩媒etnews 18日报导，业界消息称，三星去年开始量产18nmDRAM，目前正研发17nmDRAM，预定今年底完成开发、明年量产。与此同时，三星也成立16nmDRAM开发小组，目标最快2020年量产。相关人士透露，微缩难度高，2020年量产时间可能延后。
三星从20nm制程(28→25→20)，转进10nm制程(18→17)，缩小线宽(Line-width)的速度明显放缓。三星尚未成立15nm制程以下的研发团队，因为由此开始，电流外泄和电容器干扰和情况将更为明显，需要开发新的材质。
三星设备解决方案部门的半导体实验室人员Jung Eun-seung说，为了继续缩小线宽，必须开发与当前不同的新材质，并提高制程稳定性，以便进入量产。业界人士估计，15nm或许是制程微缩的极限，未来三星可能难以透过制程微缩拉大与对手差距，并担忧中国业者急起直追，赶上三星。
当下三星DRAM主力为20nm制程，今年将逐步增加18nm产出比例，期望明年生产以18nm为主。
DRAM存储百科
DRAM是Dynamic random access memory 的缩写，称为动态随机存取存储器。与之前介绍的SRAM静态随机存储器相比，DRAM功耗更小。详细请参照SRAM存储器原理介绍中的SRAM与DRAM的区别部分。
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