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Ansys RaptorH可抵抗2.5D / 3D集成电路和系统中的电磁效应

2020-05-01 23:55来源:中国存储网
导读:Ansys RaptorH电磁(EM)仿真解决方案通过Samsung Foundry认证,可帮助三星设计人员对EM现象进行建模。

中国存储网编译消息,2020年4月30日Ansys  RaptorH电磁(EM)仿真解决方案通过Samsung Foundry认证。该方案用于开发先进的单片机系统(SoC)和二维/三维集成电路(2.5D / 3D-IC)。该认证使Ansys能够在采用三星新的签核流程时帮助三星设计师和三星代工客户更准确地分析和缓解EM效应带来的风险,从而显着加快了先进人工智能(AI)高性能计算的发展(HPC)和5G半导体设计。

三星的一系列先进的纳米硅和2.5D / 3D-IC技术需要一种签核方法,以验证对复杂的多芯片组件产生负面影响的EM干扰,而这是传统工具无法完成的任务。工程师需要使用大容量的EM分析工具来对超大型SoC和2.5D / 3D组件的信号完整性进行准确建模,而后者会以很高的数据速率处理信号。2.5D / 3D-IC中信号之间难以量化的相互作用是故障的关键点,并限制了新技术的采用率。

RaptorH的高度集成的分析解决方案将Ansys HFSS的高保真度,高频电磁求解器与Ansys RaptorX的超快速度和强大的体系结构相结合,可帮助三星设计人员对EM现象进行建模,并充满信心地将更高频率推向其2.5D / 3D芯片组件寄生效应不会损害系统。这将推动这些新包装技术更快地进入主流生产,并显着降低风险。

三星电子铸造设计平台开发执行副总裁Jaehong Park博士说:“数据速率的提高,电子系统集成水平的提高和封装密度的提高,导致对新型EM分析功能的需求达到前所未有的规模。” “利用Ansys RaptorH,我们的才华横溢的工程团队可以克服不受欢迎的EM现象,从而缩短设计周期,减少预算并提高性能。”

“ RaptorH继续与三星保持着深厚的关系,提供了增强的签核流程,以消除来自EM干扰的风险,并直接支持三星开发尖端的AI,HPC和5G半导体设计。RaptorH将帮助三星设计人员和代工客户缩小芯片尺寸,降低功率需求,降低成本并加快产品上市速度。” Ansys工程副总裁Yorgos Koutsoyannopoulos说道。“该解决方案还展示了Ansys的能力,不仅可以将Helic等新收购的产品快速整合到我们的产品组合中,还可以加速增长,为全球客户带来急需的解决方案。”

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Ansys
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