2017-11-29 00:00:00
来 源
中国闪存市场
存储器/芯片
来自中国闪存市场的消息,三星第二代10nm FinFET工艺进入量产。

三星电子11月29日宣布其代工业务已开始大量生产基于第二代10nm FinFET 10LPP工艺的系统芯片(SOC)的产品。计划2018年初推出应用于数字设备的基于10LPP工艺的SoC芯片。

相比第一代10nm工艺10LPE(Low Power Early),10LPP(Low Power Plus)工艺可将性能提高10%,功耗降低15%,同时,还可以大大减少从开发到批量生产的周转时间,提高初始制造产量。

三星电子代工业务副总裁Ryan Lee表示:“随着10LPE到10LPP工艺的提升,性能和产能也得以提升,未来三星计划将10nm技术提升到8LPP,为客户提供更大的竞争优势。”

三星还宣布其位于韩国华城的最新的生产线S3计划提升工艺技术,包括10nm以下产品的研发生产。目前三星代工业务有三家工厂,其中S1位于京畿道器兴, S2在美国奥斯汀,三星的7nm FinFET与EUV工艺将在S3大规模量产。

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