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台积电年度技术论坛将至,市场聚焦3nm试产及未来2nm的技术路径

2020-08-24 15:05来源:半导体联盟
导读:有台湾媒体报道,台积电在2nm研发有重大突破,已成功找到路径,将切入环绕式栅极技术(gate-all-around,简称GAA)技术。

半导体联盟SemiUnion,8月24日消息,据台湾媒体报道,台积电明日举行年度技术论坛,CEO魏哲家亲自开讲,分享产业现况及台积电最新技术进展,市场聚焦台积电冲刺3nm试产及未来2nm采取的技术路径,以及先进封装等热点。

台积电年度技术论坛将至,市场聚焦3nm试产及未来2nm的技术路径

台积电

在2019年年报中,台积电首度提及2nm技术,表示已开始研发,同时针对2nm以下的技术进行探索性研究。

上月,有台湾媒体报道,台积电在2nm研发有重大突破,已成功找到路径,将切入环绕式栅极技术(gate-all-around,简称GAA)技术。

受疫情影响,今年的技术论坛,由4月延至明天举行,并且首度改为线上形式举办。

今年论坛主题包括台积电先进制程技术、特殊技术、先进封装技术,以及产能扩充计划与绿色制造成果。并分别由魏哲家分享产业现况及台积电最新技术进展;业务开发资深副总经理张晓强说明台积电先进制程技术;研究发展系统整合技术副总经理余振华说明先进封装制程技术进展。

台积电成立于1987年,是全球最大的晶圆代工半导体制造厂,客户包括苹果、高通等。其总部位于台湾新竹的新竹科学工业园区。

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