企业空间 采购商城 存储论坛
华为全闪存阵列 IBM云计算 Acronis 安克诺斯 安腾普 腾保数据
首页 > 存储器/芯片 > 正文

三星128层第六代V-NAND已量产,2020年投入市场

2019-12-02 15:49来源:腾讯科技
导读:三星早在6月份就推出了第六代V-NAND(128层256Gb 3D TLC NAND),8月份宣布基于该技术已批量生产250GB SATA SSD

日前,在举行的Samsung SSD Forum 2019 Tokyo上,三星电子存储器部门产品规划团队高级董事总经理Jinman表示,三星128层第六代V-NAND已实现了512Gb TLC容量的量产,计划于2020年投入市场应用,且正在针对5年内达到500层或更多层的堆栈进行研究。

三星128层第六代V-NAND已量产,2020年投入市场

三星V-NAND技术规划

三星128层第六代V-NAND已量产,2020年投入市场

三星第六代V-NAND技术

三星早在6月份就推出了第六代V-NAND(128层256Gb 3D TLC NAND),8月份宣布基于该技术已批量生产250GB SATA SSD,如今实现了第六代128层512Gb TLC 3D NAND的量产,将加快导入到SSD和eUFS的应用。

128层3D NAND,三星与SK海力士公开展开竞争

128层3D NAND是96层下一代技术,除了三星,SK海力士也是在6月份宣布推出首款128层TLC 4D NAND,11月份向主要客户交付基于128层1Tb 4D NAND的工程样品,并较预期提前量产,基于该技术将推出1TB UFS 3.1、2TB客户端cSSD、16TB企业级eSSD,计划于2020年实现在5G手机、PC、企业级市场的商用。

三星128层第六代V-NAND已量产,2020年投入市场

SK海力士128层4D NAND

三星128层第六代V-NAND已量产,2020年投入市场

SK海力士基于128层4D NAND的产品

在128层3D NAND技术上,三星和SK海力士发展的时间进程大体一致,西部数据/铠侠、美光等虽有128层3D NAND技术,但尚未公开发布基于该技术的产品,所以与三星公开展开竞争的是SK海力士。

根据Jinman介绍,三星第六代V-NAND实现的是128层堆叠,1200Mbps的IO速率,量产的是256Gb、512Gb容量。值得注意的是,与SK海力士128层4D NAND量产1Tb相比,就目前而言三星128层量产的256Gb、512Gb在容量上略逊一筹,这是关键的竞争要素,因为将直接影响到产品的成本竞争力。

不过,三星基于128层3D NAND技术也会量产1Tb,这是毋庸置疑的,只是时间问题而已。

两“虎”相争,良率和量产规模备受关注!

当然,产品市场竞争力也不能仅仅从3D层数、容量等角度单一衡量,当今的NAND Flash设计更需要综合考虑层数、存储单元间距、单元厚度、功耗、整体性能、投资效益等诸多因素,还有量产的良率等等,也是市场竞争的要素。

据悉,三星新建成的平泽2号工厂首先建设的是一条NAND Flash生产线,然后会再投资建设DRAM产线,与平泽一期工厂的规划将大体一致。之前,有报道称三星平泽2号工厂(P2)设备投资减缓,但近期有相关行业人士表示,三星要求平泽2号工厂的设备交货日期不变。三星也在最新季度财报电话会议上表示,计划在2020年运营平泽2号工厂,但尚未确定大规模生产的时间。

三星128层第六代V-NAND已量产,2020年投入市场

平泽工厂外貌图

根据三星目前128层3D NAND技术发展,以及工厂进度规划,预计2020上半年投产的计划不变,且将可能量产的是第六代128层V-NAND。SK海力士128层3D NAND也将在2020年进入投产阶段,新工厂除了已经运营的M15,正在新建的M16工厂将在2020年底完工,这使得业内人士对2020年NAND Flash供应增加表示担忧。

据各原厂技术发展,2020年96层3D NAND才是主流技术,128层3D NAND占比不会太高,而且原厂新工厂是为了3D NAND技术顺利过渡,产出也会视需求而定。至于市场需求,均看好5G手机,物联网、人工智能、车联网等带来的大数据存储需求,对2020 存储产业看法持乐观的态度。

继续阅读
关键词 :
三星 3D NAND
中国存储网声明:此文观点不代表本站立场,如有版权疑问请联系我们。
相关阅读
产品推荐
头条阅读
栏目热点

Copyright @ 2006-2019 ChinaStor.COM 版权所有 京ICP备14047533号

中国存储网

存储第一站,存储门户,存储在线交流平台