DRAM和NAND Flash微缩制程逼近极限，16奈米将是DRAM微缩制程的最后极限，MRAM和ReRAM因此备受期待，认为可以取代DRAM和NAND Flash，业者正全力研发。
DRAM和NAND Flash微缩制程逼近极限，业界认为次世代记忆体“磁电阻式随机存取记忆体”(MRAM)、“可变电阻式记忆体”(ReRAM)可能即将现身，要以更快的存取速度横扫市场。
韩媒BusinessKorea 16日报导，南韩半导体业者指出，16奈米将是DRAM微缩制程的最后极限，10奈米以下制程需要缩小电晶体体积，但是薄膜厚度却无法缩减，也可能不适合采用高介电常数(High-K)材料和电极。MRAM和ReRAM因此备受期待，认为可以取代DRAM和NAND Flash，业者正全力研发。
两种新记忆体都是非挥发性记忆体，切断电源后资料也不会消失，速度比现行记忆体快上数十倍到数百倍之多，由于内部构造较为简单，理论上未来微缩制程也有较大发展空间。其中MRAM采用磁阻效应(Magnetoresistance)技术，研发业者有SK海力士(SK Hynix)、东芝(Toshiba)。ReRAM则靠着绝缘体的电阻变化，区别0和1，外界认为或许能取代NAND型快闪记忆体(NAND Flash)。
日经新闻2014年1月1日报导，东芝(Toshiba)将携手南韩海力士(SK Hynix)预定2016年度量产大幅提高智慧型手机性能的次世代记忆体“磁电阻式随机存取记忆体(Magnetoresistive Random Access Memory;MRAM)”，量产时间将比美国美光科技(Micron Technology)所计画的 2018 年提前了约2年时间。
MRAM研发可分为三大阵营，除了上述的东芝/SK海力士之外，三星电子也正进行研发，而美光则和东京威力科创(Tokyo Electron)等20家以上日美半导体相关企业进行合作，希望于2016年度确立MRAM的量产技术、之后并计划 2018年透过美光子公司尔必达(Elpida)的广岛工厂进行量产。
Market Realist去年4月28日报导，美光科技(Micron Technology)和Sony在国际固态电路研讨会(International Solid-State Circuits Conference)上表示，正透过27奈米制程，开发16-Gbit的ReRAM;Sony预定2015年量产ReRAM晶片。专家表示，三星(Samsung)应该也在研发包括ReRAM的次世代储存科技。
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