提供了一种提高闪存可靠性同时降低其实施成本的解决方案。所提出的预处理方法被证明可以产生较少数量的扫描电压步长，从而减少了阈值电压分布表征期间多次读取操作的时间开销和能量消耗。
IEEE Transactions on Consumer Electronics发表了李莺歌;韩国军;黄三伟;刘畅;张萌;吴飞等的文章，文章题目是利用元数据估算 3-D NAND 闪存的读取参考电压。
摘要： “在消费电子产品中，由于每个单元的多位存储和 3-D 堆叠技术，3-D NAND 闪存已成为最先进的存储介质。然而，闪存单元通常容易受到多种类型的电路级噪声的影响，从而导致阈值电压分布失真并降低可靠性。阈值电压分布的表征和最佳读取参考电压的建模可以帮助减轻可靠性恶化。在本文中，我们提供了一种提高闪存可靠性同时降低其实施成本的解决方案。所提出的预处理方法被证明可以产生较少数量的扫描电压步长，从而减少了阈值电压分布表征期间多次读取操作的时间开销和能量消耗。我们提出了一种单状态异步估计 (SSAE) 方法来估计最佳读取参考电压。与先进的双状态异步估计（TSAE）方法相比，它被证明可以将计算和空间开销减少一半。此外，与使用默认读取参考电压相比，它还显示可以在不确切了解噪声的情况下降低 RBER.“
论文地址：https://ieeexplore.ieee.org/abstract/document/9916068
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