近日，首届IC咖啡国际智慧科技产业峰会暨ICTech Summit 2017在上海隆重举行。 长江存储CEO杨士宁先生以《发展存储产业的战略思考》为题，分别从市场动力、可能成功的外界条件、必须成功的内在努力和长江存储的计划及进展四个方面做一一讲解。 杨士宁指出，从
近日，首届IC咖啡国际智慧科技产业峰会暨ICTech Summit 2017在上海隆重举行。
长江存储CEO杨士宁先生以《发展存储产业的战略思考》为题，分别从市场动力、可能成功的外界条件、必须成功的内在努力和长江存储的计划及进展四个方面做一一讲解。
杨士宁指出，从NAND闪存市场和技术动态来看，全球存储器公司都在3D NAND产品的积极准备中，2018年将会有更多64层3D NAND的产品量产上市，大家都有设备折旧的压力在，长江存储并不担心，只要全力解决技术问题即可。他强调，长江存储的目标是在折旧期内实现盈利。
长江存储不会简单的跟随行业的脚步，将通过跳跃式的发展，目标在2019年实现与世界前沿差半代技术，2020年追赶上领先技术，与世界并行。
未来4年26座半导体晶圆厂将设在中国
SEMI估计，全球将于2017年～2020年间投产62座半导体晶圆厂，其中26座设于中国大陆，占全球总数的42%
加总上述的设资计划，在未来数年间投入集成电路制造领域的资金将超过3500亿元。在产能建设上，根据国际半导体设备与材料产业协会(SEMI)发布的报告，目前全球处于规划或建设阶段，预计将于2017年～2020年间投产的半导体晶圆厂约为62座，其中26座设于中国，占全球总数42%。这些建于中国的晶圆厂2017年预计将有6座上线投产，2018年达到高峰，共13座晶圆厂加入营运，其中多数为晶圆代工厂。
如果将中国大陆目前现存和在建的全部产能折合为12英寸产能，总量将达到1560千片/月，在建产能接近现有产能的九成，而且主要都是12英寸生产线。
中芯国际40nm ReRAM存储芯片出样
目前在下一代存储芯片的研发当中，除了3D XPoint芯片外还有ReRAM芯片（非易失性阻变式存储器）。2016年3月，Crossbar公司宣布与中芯国际达成合作，发力中国市场。其中，中芯国际将采用自家的40nm CMOS试产ReRAM芯片。近日，两者合作的结晶终于诞生，中芯国际正式出样40nm工艺的ReRAM芯片。
据介绍，这种芯片比NAND芯片性能更强，密度比DRAM内存高40倍，读取速度快100倍，写入速度快1000倍，耐久度高1000倍，单芯片（200mm2左右）即可实现TB级存储，还具备结构简单、易于制造等优点。
另外，按计划更先进的28nm工艺ReRAM芯片也将在2017年上半年问世。
2017年国家大基金投资企业最新盘点实际投资额超560亿元
据丁文武介绍，截至2016年底，国家大基金成立两年多来，坚持市场化运作、专业化管理、科学化决策的原则，共决策投资43个项目，累计项目承诺投资额818亿元，实际出资超过560亿元。已实施项目覆盖了集成电路设计、制造、封装测试、装备、材料、生态建设等各
对于国家大基金投资所取得的成效，丁文武表示主要有8个方面：
1、基金集中力量扶优扶强，所投企业运营良好；
2、重大项目布局取得突破性进展（中芯、华虹、长江）；
3、中芯国际28nm先进制造工艺进入量产；
4、展讯科技进入全球十大设计公司行列；
5、长电科技跃居封装业全球第四；
6、中微半导体刻蚀设备进入跨国企业芯片生产线；
7、在投资的IC产业全产业链中，制造环节投资已超过60%；
8、产业集聚发展效应明显，在北京、上海、武汉、福建、江苏、深圳的投资额占全部已投资额的90%。
丁文武介绍了2017年大基金关注的一些方向。
在存储器方面，紫光牵头带动长江存储，投资总额达240亿美元；在先进工艺方面，已经开始启动；在特殊工艺方面仍需要持续关注；在化合物半导体与功率半导体方面，关注三安光电的发展情况；在功率半导体方面，无论设计和制造都有布局；在CPU方面，我们缺的很多，如何选择如何发展是2017年破局性的部署；FPGA方面，Lattice被否，国内后起之秀有几家，还是需要整合给予更多支持；传感器MEMS，移动物联网芯片，找不到更多国内企业，潜在市场巨大；在工控和汽车电子方面，培养国内几家像样的企业还是很困难；在半导体装备方面，很难与国际企业相竞争。
华力微电子在ISS高峰论坛上为中国半导体代言
旧金山当地时间10日下午,华力微电子副总裁舒奇先生以“中国：崛起的半导体市场”为题
华力微电子总投资387亿元的12英寸先进工艺生产线已于2016年12月正式开工，该项目是“909工程”的二次升级改造项目，项目完成后将建成一条月产能4万片的12英寸芯片生产线，工艺技术覆盖28纳米-14纳米，将为国内外客户创造更多的价值，实现双赢发展。
反制中国不平等的半导体政策白宫重磅报告解读
白宫发表的共44页最新科技报告指出，中国不平等的半导体政策“阻碍创新”已经威胁到美国芯片产业，并建议美国政府动用国家安全机制防止中国暗中窃取美国半导体技术机密。此前，中国资本密集收购海外半导体公司引起美国政府警惕。
不过已经发表的报告并未具体提供限制中国投资美国芯片产业的建议，而是建议利用国家安全机制，例如美国外资投资审议委员会(CIFUS)，以及与盟国合作，阻绝中国以反竞争策略取得对美国先进科技与国防关键厂商有害的技术。
该报告指出：“我们发现中国的政策正以破坏创新、降低美国市占率以及让美国国家安全面临安全风险等形式扭曲市场。”
“我们非常支持中国建立自己的半导体产业，但是只希望他们确定他们是以市场为基础的方式来进行；”Neuffer表示：“中国为了扶植半导体产业而推动的某些策略，看起来特别不像是以市场为基础，而且老实说，让产业界部分人士觉得非常火大。”
”该报告认为，中国政府为扶植本国厂商与鼓励外商在中国当地设置据点提供的补贴是一个关键，指该种补贴以长期的观点将阻碍创新。
高启全牵线 紫光挖美光大将
前华亚科总经理梅国勋（Scott Meikle）自美光退休后，正式加入紫光集团，担任高级顾问，为近期加入紫光集团美光层级最高的人员。
梅国勋担任华亚科总经理时，正是负责由30奈米制程推进至20奈米制程关键推手，自美光退休后，一度传出科林研发有意延揽他，最后选择加入紫光集团，应是转任紫光全球执行副总裁，也是高启全全力请托。
紫光再挖走台籍半导体高管前联电CEO孙世伟加盟紫光
继挖走前华亚科董事长高启全之后，紫光日前宣布前联电CEO孙世伟将加盟紫光担任全球业务副总。
孙世伟是台湾半导体业内的资深人物了，在联电长期负责技术研发，2005年成为该公司最年轻的副总，2008年担任联电CEO，2012年卸任之后转任副董事长，2015年辞任联电董事，之后在一些咨询、半导体公司担任顾问、独董等职位，包括多家大陆半导体公司。
2016中国半导体行业十大事件(中国电子报)
1 大基金、紫光投资长江存储，中国进军存储器产业
2 中芯、华力密集建厂，中国IC制造业再度发力
3 并购爱思强遭CFIUS阻挠，半导体“海淘”遇阻
4 大基金两年投700亿元，扶持集成电路产业发展
5 北京君正收购豪威科技、思比科，IC并购转向国内
6 贵州华芯通成立，目标ARM架构服务器芯片
7 手机芯片开启10nm时代，中国通信芯片走向高端
8 中芯长电半导体规模量产，进入到14纳米产业链
9 硅衬底LED项目获国家技术发明一等奖，核心专利实现突破
10 2016年中国光伏装机31GW，继续领跑全球
2016年中国半导体产业十大人物数丰功伟绩还看今朝！
1.丁文武：大基金之父
2.赵伟国：收购狂人
3.邱慈云：扛起国内芯片制造的大旗
4.王新潮：企业需要大胆设计未来
5.尹志尧：中微半导体向全球提供最先进的半导体设备
6. 李力游：“千人计划”回归中土，凭农民精神带展讯力挽狂澜
7. 胡伟武：龙芯的商用之路，一直在努力
8. 励民：紧跟消费电子发展浪潮，瑞芯微随动而动
9. 邓中翰：中星微传奇继续
10. 任正非：自主自强的楷模，民族的骄傲
张忠谋看半导体业 今年成长 4%
张忠谋指出，台积电2017年上半年业绩较去年同期将成长近10%，下半年业绩则将较去年同期成长约5%。
晶圆代工厂台积电（2330）董事长张忠谋表示，今年半导体业将成长约4%，晶圆代工业将成长约7%，台积电以美元计营收将成长5%至10%。
台积电去年每天净赚2亿 16and20纳米营收占比达28%
2017年1月12日，台积电召开法人说明会并公布了2016年第四季度和全年财务报告。
综合计算，台积电去年全年营收高达新台币9479.4亿元（约合人民币2072.72亿元），年增12.4%，税后净利润为新台币3342.47亿元（约合人民币730.85亿元），年增率9%，再创历史新高，相当于每天净赚人民币2亿元。
从2016年全年来看，台积电28纳米及以下制程产品销售金额则占到了全年营收的54%，相比2015年提升6个百分点。
此外，台积电还表示，公司2017年的资本支出预计将达到100亿美元。
服务器内存模组疯涨30%，DDR4 32GB价格突破200美元
集邦咨询半导体研究中心最新调查显示，2017年第一季服务器内存模组价格持续攀高，据目前已成交的合约来看，平均涨幅已逾25%，甚至在高容量模组的涨幅更直逼30%以上，其中DDR4 32GB RDIMM已突破200美元大关，而16GB RDIMM也顺势攀升至100美元。
DRAMeXchange进一步指出，高通首颗建立在ARM架构的10纳米服务器芯片预计将在2018年初进入量产。然而，尽管ARM架构芯片拥有低功耗优势，但在运算效能上仍不敌以英特尔为首的x86架构阵营，目前ARM架构解决方案多用于数据中心后段以储存为主的服务器群，而高端运算部分仍旧由x86架构为主的服务器群主导。
2017年全球半导体产值可达3400亿美元
据Gartner预估,大陆半导体设备需求产值将由2015年的37.1亿美元成长至2018年的78.9亿美元,年增率高达20.7%。
2016年全球半导体产值衰退至3,247亿美元年减3%。展望2017年,新应用领域持续成长,据研调机构Garnter预估,2017年全球半导体产值将成长至3,400亿美元,年增4.7%。
全球及中国市场主要IGBT厂商排名
根据全球著名市场研究机构IHS的2016年调研报告，全球及中国市场主要IGBT厂商排名如下：
DRAM吃紧 淡季涨价25％，三星海力士赚翻
集邦科技昨（10）日发布最新调查，受到DRAM供应吃紧，第1季服务器DRAM模组价格涨幅逾25%，高容量涨幅甚至直逼30%，创下历年淡季最大涨势；标准型DRAM涨幅也相近。
据调查，服务器用DDR4 32GB模组，每条已突破200美元大关，首季合约价平均涨幅逾25%，高容量模组涨幅更直逼30%以上。
据韩国经济日报报道，拜DRAM价格因供给短缺而以高角度上扬之赐，部份分析师预测韩国两大存储器厂三星与SK海力士，今年半导体营业利润可能年增五成，来到史无前例的25兆韩圜。
存储器市况从去年六月触底反弹后，从最低每单位1.31美元一路走升，年底攀底至1.94美元，且在供给有限而需求增加的状况下，存储器今年有望延续涨势。
近期DRAM涨势主要由三星主导，且涨势仍未停歇，首季标准型DRAM涨幅逾三成，移动DRAM约15~20%，服务器用DRAM涨幅在25~30%。
高通炮轰台积电10nm良率攸关芯片厂战斗力
高通是在CES 2017展上唯一发表10纳米处理器芯片的通讯大厂；对于竞争对手的10纳米产品重炮回击指出，联发科、海思的10纳米芯片和高通的Snapdragon 835完全不在同一个水平上，谈不上是竞争对手；然估计2017年上半预计会有5颗分别由台积电和三星电子(Samsung Electronics)操刀的10纳米芯片先后问世，论时程、效能、良率、客户青睐度，2017年开春10纳米战火已嗅到浓浓火药味。
英特尔发表10nm芯片
据《财富》杂志网络版报道，英特尔CEO柯再奇此次参加CES消费电子展，主要是为了展示新的虚拟和增强现实应用。但是他还是忍不住以嘲讽英特尔乃至整个半导体行业最大的怀疑论者开始自己的演讲。
“在我的职业生涯中，我听到摩尔定律死亡的次数比什么都多，”柯再奇说道。“今天我要在这里向你们展示，并且告诉你们，摩尔定律还活着，而且活得很好很旺盛。”
直到几年前，英特尔还能够每两年降低其芯片设计的比例，但是周期在不断拉长。从65纳米过渡到45纳米，英特尔用了约23个月；从45纳米到32纳米，27个月过去了；32纳米到20纳米，再到目前的14纳米，则分别用了28和30个月。自2014年9月后，英特尔就卡在了14纳米。
2016年半导体材料领域十大突破
一、硅基导模量子集成光学芯片研制成功
二、首个打破物理极限的1nm晶体管诞生
三、碳纳米晶体管性能首次超越硅晶体管
四、“石墨烯之父”发现比石墨烯更好的半导体——硒化铟（InSe）
五、人类首次飞秒拍摄到了半导体材料内部的电子运动
六、美国犹他大学工程师最新发现新型二维半导体材料一氧化锡（SnO）
七、德国开发出新型有机无机杂化“人工树叶”
八、新型无机半导体材料SnIP具有DNA的双螺旋结构
九、首块纳米晶体“墨水”制成的晶体管问世
十、美国科学家设计超材料以光子形式释放能量传递信息
WSTS 2016 Nov Autumn Forecast
2016 Global Pure-Foundry Ranking
Gartner Global Semiconductor Industry Capital Spending Forecast 2016 to 2020
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