2020-03-02 07:13:24
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自2018年底以来,Intel公司的中国大连工厂已经累计生产QLC NAND芯片超过1000万个。

自2018年底以来,Intel公司的中国大连工厂已经累计生产QLC NAND芯片超过1000万个。

英特尔Intel大连公司(Fab 68)是英特尔全球的第一个存储器芯片工厂,是英特尔全球最先进的存储器生产基地之一,主要产品是英特尔第一代代 3D NAND 芯片。

详细信息:

英特尔半导体(大连)有限公司成立于2006年06月06日,注册地位于辽宁省大连经济技术开发区淮河东路。

主要经营范围是:半导体集成电路产品制造、封装测试、加工、仓储、销售自产产品和售后服务;高科技信息领域内的与半导体集成电路产品和技术有关的研发、中试;提供安装、测试、维护、咨询、技术解决方案等技术服务(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动。)

Intel 3d Qlc nand SSD 闪存产品固态硬盘

英特尔公司(Intel)在2019年4月推出了具有固态存储的英特尔Optane内存H10。该产品将Optane技术的响应能力与QLC 3D NAND技术的M.2存储能力相结合。

英特尔客户SSD战略规划和产品营销总监Dave Lundell表示:“ 许多人都在谈论QLC技术,但英特尔已经大规模交付了它。” “ 我们已经看到了对独立QLC SSD(英特尔SSD 660p)的高性价比容量以及Optane Technology + QLC解决方案(Intel Optane Memory H10)的性能的强烈需求。“

相关信息: 

Intel QLC 3D NAND用于  Intel SSD 660p,  Intel SSD 665p和  Intel Optane Memory H10  存储解决方案。;

这些QLC驱动器每个单元具有4位,并以64层和96层NAND配置存储数据;

该公司在过去十年中一直在开发这项技术。在2016年,其工程师将业已证明的浮栅(FG)技术的方向更改为垂直,并将其包裹在栅的全方位结构中。最终的TLC技术可以存储384Gb /裸片。在2018年,3D QLC闪存成为现实,它具有64个层(每个单元4位),能够存储1,024Gb /管芯。在2019年,英特尔迁移到96层,从而降低了总体面密度;

QLC是英特尔总体存储产品组合的一部分,该产品组合包括客户端和数据中心产品。

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