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芯动态|逻辑芯片尺寸持续扩大 推升半导体设备需求

2020-02-27 08:46:33来源:钜亨网
导读: 在2019年存储器相关投资大幅下跌之后,市场预期2020年新存储器容量投资将急剧增加。

半导体联盟消息,在2019年存储器相关投资大幅下跌之后,市场预期2020年新存储器容量投资将急剧增加。受逻辑半导体制造商之间的竞争所推动,逻辑芯片尺寸持续扩大,新设备相关需求也推动了EUV光刻机的量产,为半导体设备产业带来更多的动能。

展望2020年,相对2019年的下跌,存储器设备投资预期将会有所增加。考量到近期存储器供需状况的改善,除非相关投资能在今年第二季有所回升,否则2021年恐将面临存储器供应严重短缺。因此,主要存储器制造商预期将在今年下半年加大投资。

《Business Korea》报导,三星电子DRAM存储器容量将以50k wpm的速度增长,而NAND则将以85k wpm的速度增长,SK海力士的DRAM的存储器容量将以30k wpm的速度增长,从这些数据来推断,主要的存储器设备制造商有可能在2020年创下有史以来最强劲的获利。

另一方面,芯片尺寸的增加,以及EUV光刻技术引入DRAM制程中,也有利于半导体设备产业。在逻辑芯片制造商之间的竞争推动下,逻辑芯片的尺寸持续扩大。基于固定容量,随着芯片尺寸的增加,芯片出货量将会下跌,也将推动容量相关投资。2020年,英特尔(INTC-US)计划投资170亿美元,使产能年增25%。台积电也计划进行150亿美元的投资,较2018年增加50%。

新创独角兽公司Cerebras日前推出了全球最大的电脑芯片-晶圆级引擎(Wafer-Scale Engine,WSE),标志半导体产业的重要里程碑,芯片尺寸的大幅度增加也将提高AI运算能力,WSE芯片是由台积电16纳米制程打造的300mm晶圆切割而成。

近期5纳米逻辑芯片和1Z纳米DRAM制程引入EUV设备也将使半导体设备产业受益。台积电如今正在引入4至5层EUV光罩层,用在包括5纳米EUV光刻技术、孔洞阵列(hole arrays)等。

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