大摩:NAND Flash复苏第4季开始反转

Thomson Reuters 27日报导，摩根士丹利( Morgan Stanley ,大摩)26日以明年存储芯片获利恐难显著成长为由，将三星电子公司投资评等自「加码」降至「中性权重」、目标价下修3.4%至280万韩元。大摩指出，随着NAND Flash报价在2017年第4季开始反转、下行风险随之升高；在此同时，2018年第1季以后的DRAM供需能见度也已降低。

三星电子10月表示，2018年DRAM、NAND Flash供需预估将持续呈现吃紧。三星电子27日盘中下跌4.2%、创一年多以来最大跌幅。三星竞争对手SK Hynix一度下跌3.6%、创10月底以来最大跌幅。

SK Hynix下跌2.35%、报83,100韩元；开盘迄今最低跌至82,000韩元、创11月20日以来新低。

美国存储器大厂美光科技(Micron Technology Inc., MU.US)11月24日上涨1.10%、收49.68美元，创2000年9月27日以来收盘新高；今年迄今大涨126.64%。

美光将在2017年12月19日公布2018会计年度第1季财报。新闻稿显示，美光的记忆体与储存解决方案协助推动人工智能 (AI)、机器学习以及自主驾驶车等颠覆性趋势。

CNBC 11月10日报导，CM Research研究经理Cyrus Mewawalla表示全球存储芯片短缺现象至少会延续至2018年底，主因为DRAM、NAND Flash需求来自AI、扩增实境等新且强大的科技循环。例如，美光芯片被用来驱动自驾车、协助汽车系统侦测路面状况。

英特尔、美光科技11月13日宣布，IM Flash B60 晶圆厂已完成扩建工程。新闻稿指出，规模扩大后的晶圆厂将生产3D XPoint。成立于2006年的IM Flash合资企业替英特尔与美光生产非挥发性存储器。

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