闪存卡行业竞争分析，作为仅次于动态存储器(DRAM)市场的存储器产品，近几年闪存芯片在全球消费电子和通信产品等带动下，市场规模持续增长。
闪存卡行业定义如何？中国闪存卡的发展历史就是一部寡头争夺史，自从中国数码相机市场启动后，闪存卡开始进入中国，但其价格一直居高不下，直到中国手机市场大规模更新换代，手机的扩展卡功能开始广泛应用，闪存卡才开始走进大众的视野。比较知名的企业包括San Disk、金士顿、威刚、创见等等。闪存卡行业定义及分类介绍如下。
闪存卡行业定义
闪存卡行业市场调查分析报告显示，闪存卡是利用闪存技术达到存储电子信息的存储器，一般应用在数码相机，掌上电脑，MP3等小型数码产品中作为存储介质，所以样子小巧，有如一张卡片，所以称之为闪存卡。根据不同的生产厂商和不同的应用，闪存卡大概有SmartMedia、 Compact Flash、MultiMediaCard、Secure Digital、Memory Stick、XD-Picture Card和微硬盘。这些闪存卡虽然外观、规格不同，但是技术原理都是相同的。
闪存卡行业分类
CF卡
CF卡(Compact Flash)是1994年由SanDisk最先推出的。CF卡具有CFPCMCIA-ATA功能，并与之兼容;CF卡重量只有14g，仅纸板火柴般大小(43mm x 36mm x m3.3mm)，是一种固态产品，也就是工作时没有运动部件。CF卡采用闪存(flash)技术，是一种稳定的存储解决方案，不需要电池来维持其中存储的数据。对所保存的数据来说，CF卡比传统的磁盘驱动器安全性和保护性都更高;比传统的磁盘驱动器及Ⅲ型PC卡的可靠性高5到10倍，而且CF卡的用电量仅为小型磁盘驱动器的5%。这些优异的条件使得大多数数码相机选择CF卡作为其首选存储介质。[3-4] MMC卡
MMC(MultiMedia Card)卡由西门子公司和首推CF的SanDisk于1997年推出。 1998年1月十四家公司联合成立了MMC协会(MultiMedia Card Association简称MMCA)，现已经有超过84个成员。MMC的发展目标主要是针对数码影像、音乐、手机、PDA、电子书、玩具等产品，号称是目前世界上最小的Flash Memory存贮卡，尺寸只有32mm x 24mm x 1.4mm。虽然比SmartMedia厚，但整体体积却比SmartMedia小，而且也比SmartMedia轻，只有1.5克。MMC也是把存贮单元和控制器一同做到了卡上，智能的控制器使得MMC保证兼容性和灵活性。
SD卡
SD卡(Secure Digital Memory Card)是一种基于半导体快闪记忆器的 新一代记忆设备。SD卡由日本松下、东芝及美国SanDisk公司于1999年8月共同开发研制。大小犹如一张邮票的SD记忆卡，重量只有2克，但却拥有高记忆容量、快速数据传输率、极大的移动灵活性以及很好的安全性。SD卡在24mm×32mm×2.1mm的体积内结合了 SanDisk快闪记忆卡控制与MLC(Multilevel Cell)技术和Toshiba(东芝)0.16u及0.13u的NAND技术，通过9针的接口界面与专门的驱动器相连接，不需要额外的电源来保持其上记忆的信息。而且它是一体化固体介质，没有任何移动部分，所以不用担心机械运动的损坏。
SM卡
SM(Smart Media)卡是由东芝公司在1995年11月发布的Flash M emory存贮卡，三星公司在 1996年购买了生产和销售许可，这两家公司成为主要的SM卡厂商。为了推动SmartMedia成为工业标准，1996年4月成立了SSFDC论坛(SSFDC即Solid State Floppy Disk Card，实际上最开始时SmartMedia被称为SSFDC，1996年6月改名为SmartMedia，并成为东芝的注册商标)。SSFDC论坛有超过150个成员，同样包括不少大厂商，如Sony、Sharp、JVC、Philips、NEC、SanDisk等厂商。SmartMedia卡也是市场上常见的微存贮卡，一度在MP3播放器上非常的流行。
记忆棒
Memory Stick记忆棒，是Sony公司开发研制的，尺寸为：50mm x 21.5mm x 2.8mm，重4克。采用精致醒目的蓝色外壳(新的MG为白色)，并具有写保护开关。 和很多Flash Memory存储卡不同，Memory Stick规范是非公开的，没有什么标准化组织。采用了Sony自己的外型、协议、物理格式和版权保护技术，要使用它的规范就必须和Sony谈判签订许可。Memory Stick也包括了控制器在内，采用10针接口，数据总线为串行，最高频率可达20MHz，电压为2.7伏到3.6伏，电流平均为45mA。可以看出这个规格和差不多同一时间出现的MMC颇为相似。
xD卡
XD卡全称为XD-PICTURE CARD，是由富士和奥林巴斯 联合推出的专为数码相机使用的小型存储卡，采用单面18针接口，是目前体积最小的存储卡。。XD取自于“Extreme Digital”，是“极限数字”的意思。XD卡是较为新型的闪存卡，相比于其它闪存卡，它拥有众多的优势特点。袖珍的外形尺寸，外形尺寸为 20mm×25mm×1.7mm，总体积只有0.85立方厘米，约为2克重，是目前世界上最为轻便、体积最小的数字闪存卡。优秀的兼容性，配合各式的读卡器，可以方便的与个人电脑连接。超大的存储容量，XD卡的理论最大容量可达8GB，具有很大的扩展空间。2008年前后，市场上能见到的XD卡有16MB、32MB、64MB、128MB、256MB等不同的容量规格。
微硬盘
微硬盘最早是由IBM公司开发的一款超级迷你硬盘机产品。其最初的容量为340MB和512MB，而2006年后的产品容量有1GB、2GB以及4GB等。 2006年以后，微硬盘降低了转速(4200rpm降为3600rpm)，从而降低了功耗，但增强了稳定性。
据我国闪存卡行业竞争分析，作为仅次于动态存储器(DRAM)市场的存储器产品，近几年闪存芯片在全球消费电子和通信产品等带动下，市场规模持续增长。现对2016年我国闪存卡行业竞争格局分析。然而闪存芯片的两大类NANDFlash和NORFlash却经历着不同的命运：前者市场尽管经历了多年跌宕起伏，但仍保持快速增长态势，未来前景可期;后者市场规模近年来则持续萎缩。
2012年，受终端消费产品低迷、闪存产能过剩等因素的影响，全球闪存芯片市场销售额出现7%以上的负增长。然而得益于本土消费电子产品市场的稳步发展，中国闪存芯片市场略有下降。
国内市场波动成长 产品结构加剧调整
未来3年，中国闪存市场将重回平稳增长的态势，市场规模将持续扩大。
近几年中国对闪存芯片的需求保持快速增长的态势。2012年，在全球金融低迷导致的消费电子产品需求下降、闪存产能过剩等负面因素的影响下，中国闪存芯片市场规模略微下降1.0%。形成这种局面的主要原因，除了电子整机需求低于预期外，2012年闪存产品单价大幅下降也是导致市场规模下滑的重要原因。
从产品结构来看，中国NANDFlash市场与上年基本持平，市场规模达633.7亿元。根据存储单元的不同，NANDFlash目前可以分为SLC、 MLC和TLC三类，产品价格依次递减。短时间内MLC仍会是主流产品，SLC将继续在企业级、服务器市场领域存活;随着TLC性能的提升，其将成为未来中低端领域NANDFlash的主要产品。
同时，NORFlash市场出现10%以上的萎缩，市场规模达74.9亿元。由于在大容量存储方面并无优势，近年来NORFlash产品的容量规格基本稳定。手机和笔记本电脑等传统高利润的市场应用，逐渐被低容量的NANDFlash所替代。与此同时，新兴下游整机市场的带动效应乏力，中国NORFlash市场同全球市场一样正经历着衰退期。此外，性价比更高的SerialFlash也在逐步替代ParallelFlash，这在一定程度上也拖累了整个市场销售额的增长。
闪存卡行业市场调查分析报告显示，未来3年，在中国消费电子制造快速恢复和本土市场的稳定增长等有利因素的影响下，中国闪存市场将重回平稳增长的态势，市场规模将持续扩大。智能手机、平板电脑、固态硬盘仍将是带动闪存市场增长的主要动力，同时随着闪存技术的不断进步，价格会持续走低，单颗芯片容量会越来越大，使用的领域会逐渐拓展，智能电视、汽车电子以及仪器自动化等领域将成为闪存市场新的增长点。预计到2015年，中国闪存市场有望超过1000亿元。
企业之间竞争加剧 先进制程极为关键
行业巨头通过不断扩大产能、提高技术实力、降低芯片价格等手段抢占行业制高点。
NANDFlash市场近几年的急速扩张，给行业带来了巨大波动。先是瑞萨(Renesas)的黯然离场，将技术转让给力晶(Powerchip);接着是奇梦达(Qimonda)的快速破产;然后是英特尔(Intel)和意法半导体(STMicroelectronics)将动态随机存储器 (DRAM)和闪存业务合并成立新公司恒忆半导体(Numonyx)，可惜好景不长，最后被美光(Micron)收购，并且美光与英特尔在 NANDFlash领域深入合作，共同投资建厂;2011年7月东芝(Toshiba)宣布与闪迪(Sandisk)共同投资新建的制造厂房“Fab5” 已经竣工并投产;2012年4月，三星宣布在西安建设闪存芯片工厂，项目总投资300亿美元，预计建成后月产能达10万片。
与此同时，2012年NANDFlash厂商工艺线程纷纷达到20nm，未来积极布局1Xnm级别。这些行业巨头通过不断扩大产能、提高技术实力、降低芯片价格等手段来抢占行业制高点，竞争激烈程度可见一斑。
在NORFlash领域，由于产品在大容量和先进制程方面与NANDFlash难以形成有效竞争，因此部分企业一方面继续追求先进制程，另一方面为了寻找一线生机，谋求跨入新的领域，开拓新的市场，积极进入低密度NANDFlash市场。
找准产品市场定位 实现本土企业崛起
国内企业应该扬长避短，先集中精力于中低端市场，依靠庞大的消费者群体，逐步提高市场占有率。
目前，由于智能手机、闪存卡、平板电脑和超极本应用大量的NANDFlash，导致三星、东芝、美光等国际大厂纷纷转向高容量的NANDFlash产品。而飞索(Spansion)、旺宏(Macronix)、华邦(Winbond)也由NORFlash业务拓展至低密度NANDFlash业务，同时，2012年三星宣布退出NORFlash业务无疑给这个市场蒙上阴影。总之，国际大厂依靠技术、资金、产能等多方面的优势把控着闪存市场和产品趋势。
面对闪存芯片市场的激烈变化，国内企业将如何应对呢?
“欲占大路，先取两厢”。“大路”就是以新技术、新工艺所驱动的高端闪存芯片市场，如大容量的NANDFlash市场;“两厢”就是利润薄、品种多、应用领域分散的市场，如NORFlash市场。
由于国际大厂闪存技术发展迅速，产品更新换代很快，为了发展需要，常常会停掉一些对他们来说利润薄弱的落后产品线，而中国仍有大量使用中低端闪存的整机企业，这给本土芯片企业带来了很好的切入机会。
兆易创新就是这样一家本土闪存芯片企业。该企业抓住国际大厂逐步退出NORFlash整体市场的机遇，积极拓展市场和行业应用;同时顺应 NORFlash市场由并口转为串口的产品和技术变革趋势，推出技术领先产品，取得了国内整体NORFlash市场第四的优异成绩，而排名前三位的就是美光、飞索以及旺宏等国际大厂，并且该公司在有良好发展前景的SerialFlash国内细分市场中排名第一，市场份额仍在不断地扩大，成功地取得“两厢”。目前该公司投入大量的人力和资金积极开发低容量的NANDFlash，努力地缩小与国际大厂之间的差距。
由此及彼，在如此全球化的激烈竞争中，中国IC设计企业在资金、技术、人才明显处于劣势的条件下，如果一味地与国外巨头一样追求高性能，很容易在创业初期由于资金的大量投入无果，导致最后资金链断裂而破产。国内企业应该扬长避短，先集中精力于中低端市场，依靠庞大的消费者群体，逐步提高市场占有率，将中低端产品做好做精，培养品牌信任度与美誉度，并认真积累技术、资金、人才等，再以实力谋划发展高端产品。协调好眼前利益与长远利益。
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