未来五年工业界会发生很重要的转变，并会带来很强大的存储需求，但如果中国的存储布局能够顺利进行，那么最后必将会面对差能过剩的风险。
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据之前的报道，长江存储计划斥资240亿美元打造一个12寸的晶圆厂，第一期工程在2016年底就开启了，并计划在2019年完成。而报道中更是指出，长江存储的产能高达20万片每个月，而主要的生产产品则是32层的NAND FLASH。
长江存储武汉基地的建设布板
Yunogami坚信长江存储已经取得了不错的进展。这主要是通过深度研究Spansion的Mirror－Bit技术实现的（最早是为Nor设计的，但后来三星将其应用到NAND上）。而长江存储在去年底完成了第一次和第二次的3D NAND Flash测试。根据Yunogami所说，第一次测试是在12月中完成的，但当时的结果不尽如人意。之后的第二次测试的产品则可以执行全规格的运行。但至于具体的进展如何，我们也实在不得而知。
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谈谈钱的问题
老实说，在中国追逐存储国产化的国产中，有一件事是我不能了解的。那就是既然长江存储正在处于初级发展阶段，为什么紫光集团那么急切地在另一个地方投资了下一个工厂。这个决定出乎了很多国外专家乃至中国本土专家的所料。
在文中开头我们提到，紫光集团和南京政府达成了一个合作。
而根据媒体的报道，紫光集团更是计划在四川程度建一座逻辑工艺的晶圆厂，而这家厂的预估产能是50万片一个月。究竟是什么原因推动紫光集团去疯狂的建厂？
中国三大存储基地
美国的资深半导体老兵对中国这个存储布局的评价是——这令我们很头疼。
从中国现在资金投入来看，基本上是中央放出来一笔基金，然后各地的地方政府和私人资本开始介入，然后三方通力合作，打造半导体产业链。而在这些合作中，不同城市和省份之间也会竞争，谁都想成为最先成功的一个。
美国的相关分析师认为，长江存储的武汉项目并没有预期中的进展那么好，政府方面有所怨言，因此紫光面临巨大的经济压力。所以紫光需要从其他城市寻求帮助。
与此同时，我们需要知道，TSMC在去年三月也和南京政府签订了一个12寸晶圆建厂协议。专家们指出，TSMC虽然表现得和南京政府和左右很大热情，但在工厂规模上，并没有达到南京政府的需求。为了被武汉击败，所以南京政府选择和紫光集团合作。
可能面临的风险
中国在过去几年的半导体建设最终会引致一个结局，那就是产能过剩。
去年，IC Insights的Matas写到，现在在追逐3D NAND Flash的产能的公司有三星、SK海力士、美光、英特尔、东芝／闪迪和长江存储。还有一些可能加入战局的中国制造商。
Matas表示，未来3D NAND将会面临各方面的风险。
虽然业界认为未来五年工业界会发生很重要的转变，并会带来很强大的存储需求，但如果中国的存储布局能够顺利进行，那么最后必将会面对差能过剩的风险。
有人指出，对于中国的这些投资我们应该抱有一种什么样的态度，究竟是应该感谢他们致力于打破三星的垄断，给我们带来更多的选择，还是该批判他们这种行为？
这位专家海指出，中国想通过存储切入半导体产业链，这或许是一个错误的选择。因为存储上面投资的金额实在太大了。每一代技术的投资成本都数十亿美元。这对中国来说是一个很大的冒险。
投资无数的钱在一个未知结果的领域，面临的压力是可想而知的。
从编者的角度看，考虑到中国半导体产业链的现状，如果我们不持续投入，那又怎样才能实现电子产业的自主可控呢？
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