2018-03-27 00:00:00
来 源
集微网
存储器/芯片
来自集微网的消息,兆易创新两项存储器接口规范获准国家通过。

近日,国家质量监督检验检疫总局、国家标准化管理委员会批准《半导体集成电路电压调整器测试方法》等 20 项国家标准,并予以公布。据悉,这 20 项标准将于 2018 年 8 月 1 日实施。

其中,北京兆易创新科技股份有限公司(以下简称“兆易创新”)的两项标准也包含在内,分别是:编号为“ GB/T 35008-2018 ”的“串行 NOR 型快闪存储器接口规范”,以及编号为“ GB/T 35009-2018 ”的“串行 NAND 型快闪存储器接口规范”。

2015 年 9 月,兆易创新提出的“串行 NAND 型快闪存储器接口规范”和“串行 NOR 型快闪存储器接口规范”立项申请获得工信部审批。随后,兆易创新即刻成立了标准编制小组,并召集相关技术人员进行通报和部署该行业标准起草的准备工作。2016 年 1 月,兆易创新完成了标准征求意见稿,并提交标准初稿至电子工业部标准化研究所。

在 NAND Flash 方面,兆易创新于 2012 年底创新的推出全球第一颗高性能、低成本的 SPI 接口 NAND Flash,并制定了自己的企业标准。由于此产品相比传统的并行 NAND Fash 具备成本低、易集成、性能高和兼容性好的特点,在市场上取得了良好反响,众多系统厂商如国内华为海思、中兴、展讯、RDA 以及全球 Broadcom、Marvel、MTK、Mstar 等主芯片很快大量采用。

在 NOR Flash 方面,兆易创新专注于 Flash 技术以及产品的开发,在细分领域不断推出最具全球竞争力的产品。目前已经成为 SPI 接口 NOR Flash 领域的领先厂商之一,市场份额达到国内第一、全球第三,客户包括Intel、Samsung、Toshiba、华为、联想和中兴等国内外大厂。 

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