2023-06-22 23:12:11
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SK海力士收到英伟达要求提供HBM3E样品的请求,并正在准备发货。HBM3E 是目前可用的下一代最高规格 DRAM HBM3,被认为是第 5 代半导体产品。

韩媒:英伟达与SK海力士合作将引领下一代DRAM市场

SK海力士于4月20日发布了具有24GB容量的新型12层HMB3,全球首次实现垂直堆叠12个单品DRAM芯片

据报道,人工智能半导体的市场领导者英伟达已经要求提供SK海力士目前正在开发的下一代高带宽内存(HBM)样品。随着SK海力士巩固其作为NVIDIA关键合作伙伴的地位,预计将引领下一代DRAM市场。

据业内人士6月14日报道,SK海力士收到英伟达要求提供HBM3E样品的请求,并正在准备发货。HBM3E 是目前可用的下一代最高规格 DRAM HBM3,被认为是第 5 代半导体产品。

SK海力士目前正在开发该产品,目标是明年上半年量产。SK海力士副总裁Park Myung-so在4月份的第一季度财报电话会议上透露,“我们正在为今年下半年准备8Gbps HBM3E产品样品,并为明年上半年的量产做准备。通常,在产品开发完成后,样品将运送给客户进行认证过程。

SK海力士目前领先于三星电子的HBM市场。根据市场研究公司TrendForce的数据,截至去年,SK海力士在HBM中占有50%的全球市场份额,而三星电子则保持了40%的市场份额。

去年6月,SK海力士成为全球首家量产性能最高的DRAMHBM3的公司,夺得市场领导地位。它成功供应了 NVIDIA 的 H100 后,通过了苛刻客户对 HBM3 样品的严格性能评估。

预计如果他们成功交付这款第 5 代产品,他们将进一步巩固其在超高速 AI 半导体市场的第一地位。NVIDIA 占据了 90% 以上的全球图形处理单元 (GPU) 市场,用于人工智能开发。

除了HBM,SK海力士还被评估为在DDR5市场获得了竞争优势,这是下一代DRAM的标准。今年1月,SK海力士的10纳米第四代(1a)DDR5服务器DRAM获得了英特尔认证,成为第一家获得该认证的公司。

SK海力士于4月20日发布了具有24GB容量的新型12层HMB3

据了解,SK海力士在此次此新产品采用了MR-MUF和TSV技术。SK海力士表示,通过MR-MUF技术加强了工艺效率和产品性能的稳定性,又利用TSV技术将12个比现有芯片薄40%的单品DRAM芯片垂直堆叠,实现了与16GB产品相同的高度。

TSV技术指的是硅通孔技术,在DRAM芯片打上数千个细微的孔,并通过垂直贯通的电极连接上下芯片的先进封装技术。采用该技术的SK海力士HBM3 DRAM可每秒传输163部全高清(Full-HD)电影,最大速度可达819GB/s。

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