三星主卖产品840 EVO固态硬盘被曝出一个诡异的Bug，读取性能会出现大幅度下滑，三星表示正在测试新固件，很快会发布修复。
中存储网消息，近日，三星主卖产品840 EVO固态硬盘被曝出一个诡异的Bug，如果其上有数据很长时间没动过了，比如说一个月，那么相应区块的读取性能会出现大幅度下滑，在测试中极为明显，刷新过的数据则毫无影响。
网上对此的讨论已经热火朝天，而三星方面也迅速做出回应，确认了Bug的存在，并表示正在测试新固件，很快会发布修复。
今天，三星称新固件正在进一步测试认证之中，将在10月15日发放。
可惜除此之外，三星没有透露更多细节，尤其是Bug原因。
三星840 EVO是其第二代TLC闪存产品，而这种廉价闪存一直存在争议，希望不要和这个有关。
关于三星840 EVO
840系列是三星面向低端入门级市场推出的固态硬盘，虽然用了很多人“不齿”的TLC NAND闪存，但因为价格便宜、性能过得去而广受欢迎，装机点名率非常高，而且事实证明，TLC闪存并没有那么不靠谱，128GB型号在典型负载下都可以使用超过11年。
现在，三星又推出了它的继任者840 EVO，规格、性能全面增强，价格也依然足够低廉，能否延续神话呢？AnandTech近日就对其做了一个非常深入的评测，而且一下子就凑齐了全部五款型号。
840 EVO规格简析
840 EVO使用的是1xnm新工艺的TLC，确切地说是19nm(待官方确认)，乍一看相比上代的21nm进步并不大，而且依然是单颗Die容量最大128Gb(16GB)、页面尺寸8KB，只不过每个区块的页面数量从192增至256。
这种闪存每颗能封装最多八个Die，也就是单颗容量最大为128GB。
可靠性上，编程/擦写循环次数还是1000-3000，确实不多，但对付普通应用足够。
IMFT(Intel/美光)、三星NAND闪存对比表
840 EVO的主控是第五代MEX，本质上还是三核心的Cortex-R4处理器，只不过频率从300MHz提升到400MHz，并且引入了SATA 3.1(就像闪迪Extreme II)，可以支持队列TRIM指令。
它还支持AES-256硬件加密，并且已将PSID加密信息印在了每块硬盘表面的标签上，可以在丢失密钥后很方便地解锁，但数据就全没了。
三星还计划在9月份发布更新固件，升级支持TCG Opal、微软eDrive规范，从而在安全加密上媲美美光M500——它也是TLC。
而作为全球顶级的DRAM厂商，三星毫不吝啬地给840 EVO系列配备了大容量的LPDDR2-1066 DRAM缓存，120GB 256MB、250/500GB 512MB、750GB/1TB 1GB。其实没必要搞这么大，比如说512MB缓存对于250GB硬盘来说就太浪费了。
840 EVO规格表
840系列以低价取胜，840 EVO也会延续这一传统，不过官方标价比840目前的实际售价稍贵一些，这自然可以理解，大规模上市后肯定会更亲民。
固态硬盘价格对比表(数据来自美国亚马逊)
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