三星 16Gb DDR5 DRAM 采用 12 纳米级工艺技术构建

三星 16Gb DDR5 DRAM 采用 12 纳米级工艺技术构建

这一技术飞跃是通过使用增加电池电容的新型高 κ 材料和改善关键电路特性的专有设计技术实现的。结合多层极紫外 (EUV) 光刻技术,这款 DRAM 具有业界最高的芯片密度,可将晶圆生产率提高 20%。...