微芯与SK 海力士合作将嵌入式SuperFlash技术引入SK海力士IC的110nm CMOS平台。
微芯的子公司SST将与SK 海力士合作，为SK海力士系统的110nm CMOS平台引入SST的嵌入式SuperFlash技术，为设计人员提供经济高效的低功耗嵌入式闪存解决方案。
嵌入式SuperFlash技术可为各种应用提供低功耗，可靠性，数据保持和耐用性，例如物联网设备，智能卡和基于微控制器的应用。该技术的功率效率和快速擦除时间适用于低功耗应用，如远程物联网边缘节点和非接触式支付设备。
SST SuperFlash方案
“ 区域高效，低功耗SuperFlash技术与高性价比的110nm工艺节点相结合，为物联网和基于微控制器的应用开辟了令人兴奋的新产品机会， ”SST副总裁Mark Reiten表示。“ 这种合作伙伴关系将使那些需要低功耗，高耐用性嵌入式闪存的客户能够通过使用高度优化的8英寸CMOS平台来降低生产成本。 ”
该公司的SuperFlash技术补充了SK海力士系统集成电路的嵌入式闪存解决方案，具有低功耗和高可靠性的IP。SK海力士系统IC是2017年7月从SK海力士分拆出来的全资子公司。它是一家专业生产显示驱动器IC（DDI），CMOS图像传感器（CIS）和功率IC的纯200mm代工厂，工艺范围为500nm至500nm。 57nm。
“ 我们相信采用SST嵌入式SuperFlash将使SK海力士系统IC能够扩展我们的技术组合，并有助于响应客户对高可靠性和强大的嵌入式非易失性存储器解决方案的要求， ”SB You博士说。营销副总裁，系统集成电路，SK海力士。“ 此外，我们将为客户提供经济高效的嵌入式闪存解决方案，以支持他们在市场上的竞争力。随着对嵌入式闪存解决方案需求的增加，将有许多客户来我们使用基于110nm CMOS技术的嵌入式闪存解决方案。 “
该工艺开发于今年早些时候开始，预计将于2019年初完成。
SuperFlash® 是SST的专利和专有NOR闪存技术。
SuperFlash®技术和存储器单元在设计和制造NOR闪存器件或在逻辑过程中嵌入SuperFlash®存储器方面具有许多独特的优势。SuperFlash®技术完全兼容CMOS，不会影响任何逻辑器件。自1994年以来，该技术一直在大批量生产.SuperFlash®技术是嵌入式应用的首选非易失性存储器。
SuperFlash®优势
1.快速上市
SuperFlash®技术在SST的NOR闪存产品安装在代工厂或IDM之前已经过生产验证，因此对于嵌入式应用来说，它是一种低风险且快速的生产时间。
2.低功耗解决方案
- 低功耗编程：
SuperFlash使用源侧注入进行编程，效率非常高（1E-03），因此功耗低于其他选项。每个单元的典型编程电流仅在几uA的范围内。
- 擦除操作的低功耗：
SuperFlash使用FN隧道进行擦除，这本身就非常有效，因此功耗很低。每个电池的典型擦除电流在几十pA的范围内。
- 低功耗读取操作：读取操作
不需要电荷泵，因此读取功率比传统堆叠栅极解决方案低得多（CV 2关系）。
3.高可靠性，无SILC
应力诱导的泄漏电流被消除，因为擦除和编程操作在单元中解耦，这也意味着可以对部件进行屏蔽以获得耐久性。
SuperFlash®使用厚隧道氧化物和优化的擦除操作方案; 因此，它不会遭受传统的应力感应泄漏电流（SILC）问题。
4.面积和性能权衡
SuperFlash®技术非常灵活，可针对小面积或高速读取操作（125MHz）优化解决方案。
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