2018-07-30 18:49:13
来 源
中国闪存市场
存储器/芯片
据中国闪存市场消息,传韩国将投资1.5兆韩元支持半导体发展,三星、SK海力士受惠。

据ZDNet报道,韩国将在未来10年投资1.5万亿韩元(约合91.6亿人民币)发展下一代半导体技术,存储器厂商三星、SK海力士将受惠。

在存储器领域,三星是最大的NAND Flash和DRAM供应商,SK海力士DRAM市占排名第二,同时也是NAND Flash重要供应商。随着NAND Flash技术的发展,3D NAND的发展需要投入更多资金用于研发和购买生产设备,而DRAM进入10nm级,对技术和设备同样有着更高的要求,为了保证韩国在存储器领域的领导优势,增加资金投入是必要的。

2018年存储器厂商三星、东芝、西部数据、美光、SK海力士等均加码投资新建工厂,其中三星除了扩大平泽Fab18工厂的投资,还投资新建中国西安二期工厂,同时SK海力士除了将在2019年初开始投产的新M15工厂,正计划在2018年底开始新建M16工厂,2020年完工。

此外,中国大力发展存储产业,支持长江存储、合肥长鑫、福建晋华等在3D NAND和DRAM芯片上的制造,以及存储生态链上的建设,韩国感受到中国对半导体的重视程度增加,为了保证在全球市场的领先地位,扩大投入是必然的。

另一方面,在3D NAND和DRAM技术发展到一定的程度,新的材料和技术的开发至关重要,也是未来企业能否在市场上站稳脚跟的关键。韩国所投资的1.5兆韩元的方向主要包括,存储芯片下一代材料的研发和设备投资、培育逻辑芯片代工、吸引外商企业在韩国本土建立生产线等。

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