2017-12-24 10:17:08
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三星宣布已开始量产第二代10nm级8Gb DDR4 DRAM,并持续扩大整体10nm级DRAM的生产,有助于满足全球不断飙升的DRAM芯片需求,继续加强三星市场竞争力。

12月20日,三星宣布已开始量产第二代10nm级8Gb DDR4 DRAM,并持续扩大整体10nm级DRAM的生产,有助于满足全球不断飙升的DRAM芯片需求,继续加强三星市场竞争力。  

三星第二代10nm级8Gb DDR4是全球尺寸最小DRAM,采用先进的专有电路设计技术,比第一代芯片快10%,功耗降低15%。相比第一代10nm级工艺,采用第二代工艺可使产能提高30%,扩大行业领先优势。  

三星还将加速其下一代DRAM芯片和系统开发计划,包括应用于企业服务器、移动设备、超级计算机、高性能计算系统和高速显卡的DDR5、HBM3、LPDDR5和GDDR6等产品。  

三星已与CPU制造商完成了其第二代10nm级DDR4模块的验证,下一步计划与全球IT客户紧密合作,开发更高效的下一代计算系统。  

此外,三星预计将迅速提高第二代10nm级DRAM产品产量,而且还将生产更多的主流的第一代10nm级DRAM,共同满足全球高端电子系统对DRAM产品日益增长的需求。

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