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STT-RAM存储技术原理及详解

2017-02-07 13:26来源:中国存储网
导读:STT RAM(Shared Transistor Technology Random Access Memory) STT-RAM写入数据的自旋矩传输(STT)方法 ,STT RAM一直被考虑作为片上SRAM缓存的替代技术。

STT RAM(Shared Transistor Technology Random Access Memory) STT-RAM写入数据的自旋矩传输(STT)方法 ,

STT-RAM属于第二代MRAM技术,是一种新型的动态存储技术,

STT RAM一直被考虑作为片上SRAM缓存的替代技术。

STT-RAM存储技术原理及详解

与eDRAM,PCM存储技术相比,STT RAM的特点如下:

主要优点:

  • 密度大,容量大;
  • 无漏电流,静态能耗低;

主要缺点:

  • 写速度慢
  • 写能耗大
  • 写次数有限

相关资料参考:

《STT-RAM作为高效节能主内存替代方案的可能性评估》,作者:Kültürsay等。

 

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关键词 :
STT-RAM 存储技术
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