2017-04-10 15:44:53
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英特尔和VMware在裸机ESXi服务器和全闪存vSAN配置中进行了大量联合测试,vSAN性能测试结果:比原来高达2.5倍的IOPS。

3月19日,英特尔宣布推出英特尔®Optane™SSD DC P4800X,这是第一款基于预期的3D XPoint技术的闪存设备。 对于vSAN客户来说,这是令人振奋的消息,因为由于英特尔和VMware的积极协作,VMware第一时间对英特尔®Optane™SSD DC P4800X提供vSAN 6.5和ESXi 6.5的支持。下图是第一款即将推出的更高版本的Intel Optane NVMe驱动器(375GB)(750GB和1.5TB)。

intel ssd Optane 闪腾系列

vSAN和Intel的Optane技术相结合,为寻求全闪存存储和软件定义基础架构(SDI)的最高性能的数字企业提供了最佳解决方案。 由于vSAN的灵活性和支持最广泛的硬件平台选择,vSAN客户将能够立即利用Optane SSD的性能和可靠性优势。

上周,英特尔和VMware参加了一个封闭的英特尔®Optane™技术研讨会,与领先的行业分析师和新闻专家共享我们一直在做的联合测试并展示了新闪存技术和软件定义存储(如vSAN)的契合。

英特尔 Intel® Optane™ SSD DC P4800X

英特尔Optane的优点

Optane将成为“世界上快的数据中心SSD”,这将真正的改变游戏规则的工作负载,具有大量的IOPS和写密集IO模式 。

英特尔分享了新SSD的主要优势

英特尔 Intel® Optane™ SSD DC P4800X

vSAN性能测试结果:比原来高达2.5倍的IOPS

英特尔和VMware在裸机ESXi服务器和全闪存vSAN配置中进行了大量联合测试,运行Optane SSD,并将其作为缓存层。 测试结果非常棒,英特尔Optane和VMware测试联合发布了以下结果:

当直接向NVMe设备写入多个应用程序时,ESXi上的Optane NVMe可提供95%的裸设备IOPS(读写),与使用Intel P3700 NVMe SSD作为缓存层的相同测试相比,Optane NVMe作为VMware vSAN的缓存层,为写入密集型工作负载提供高达2.5倍的IOPS 。 此外,Optane测试显示,对于写入密集型工作负载,磁盘延迟时间减少2.5倍。

英特尔 Intel® Optane™ SSD vsan

对于vSAN,结果表明,英特尔Optane NVMe SSD为写入密集型工作负载提供了非常高性能。 客户可以看到VDI持久存储用例和下一代应用程序(如大数据,视频流和实时流分析)等应用程序的即时收益。

我们欣喜地看到,基于Optane的NVMe缓存设备组成的全闪存vSAN系统为现代数据中心的下一代应用提供了非常可扩展且性能卓越的HCI解决方案。

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