英特尔与美光计划进一步缩小NAND电路尺寸，使其闪存芯片密度加倍，从而降低SSD（固态硬盘）存储成本。 英特尔和美光的合资企业IMFT（IM Flash Technologies）去年发布了25nm工艺电路。而在
英特尔与美光计划进一步缩小NAND电路尺寸，使其闪存芯片密度加倍，从而降低SSD（固态硬盘）存储成本。
英特尔和美光的合资企业IMFT（IM Flash Technologies）去年发布了25nm工艺电路。而在今年初夏，IMFT又将有新动作，计划推出基于20nm工艺电路和PCIe扩展卡标准的企业级SSD。
美光NAND产品群组战略营销总监Kevin Kilbuck表示：“这将是一款业界领先的固态硬盘。”
最新的PCIe卡被称为P320h，是美光第一个企业级固态硬盘P300的继任者，P300基于SLC（单级单元）NAND闪存。
P320h也将采用SLC NAND 闪存，以及一种名为RAIN（独立NAND冗余阵列）的技术。RAIN的常见定义为“独立（或低价）节点的冗余阵列”，指的是将处理器和磁盘存储集成在一个单元的网格存储架构的构建模块技术。
在美光的实例中，RAIN将使用额外的NAND作为缓存或缓冲区以提高性能。
与上周宣布不采用SLC的英特尔不同，美光仍将基于SLC的SSD产品视为企业存储的最高层，即使该层级只占有SSD容量销售的10%。
Kilbuck声称，这10%的容量到2014年将代表50%的市场收入。
与此相反的是，英特尔表示，其最为普及的消费级SSD X25-M与其畅销的基于SLC的企业级SSD X25-E在企业中的大致比率为7:1 到8:1。因此，该公司计划未来以基于MLC NAND的企业级产品为主。
Micron也承认其消费级SSD C400的销售量远远超过其企业级SSD P300。但在收入方面，美光认为企业级SSD与成本更低的消费级产品是相当的。
举例来说，美光将企业级SSD分为三个类别：
——基于PCIe和SAS接口的企业级性能产品，主要用于OLTP、高性能计算和关系数据库应用。
——基于SAS和SATA接口的企业级主流产品，主要用于网络服务器和数据缓存。
——基于SATA接口企业级产品，主要用作引导驱动器，存储数据库中的日志文件、数据存储库或DRAM的卸载点。
美光企业级SSD高级产品营销经理Kevin Dilbelius表示，云计算刺激了对高性能闪存产品的需求，这些产品可帮助刀片服务器基础设施提供类似在线流式视频的服务。
Kilbuck表示，IMFT在继续缩小NAND闪存尺寸的进程中遇到了相当大的技术障碍。在25nm工艺上，IMFT已经快接近原子大小。25nm是怎样一个概念，可以拿咱们的头发做类比，一根头发丝的直径可比25nm大得多，再形象一点的说，如果将一根头发的直径算作一英里，那25nm只相当于20英寸。
而关于20nm工艺，仅有少数几家公司能够拥有这项技术，以使它们继续制造该工艺的SSD产品。
Kilbuck称：“当我们在50nm工艺的时候，几乎任何厂商都可以生产SSD，但对于20nm工艺，恐怕就不会这么容易了。”
在减少半导体使用电路尺寸的过程中，存在着固有问题，尤其是电子在渗透过更薄的硅壁时数据错误率的增加。这需要开发更加先进的误差校正码和信号处理算法，并过量配置NAND闪存芯片，以防止数据丢失。
总而言之，Dilbelius称：“SSD领域未来将因此发生翻天覆地的变化。”
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